西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学刘志宏获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种金刚石环栅场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789467B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411651382.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种金刚石环栅场效应晶体管及其制备方法是由刘志宏;许美;邢伟川;侯松岩;周瑾;刘先河;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金刚石环栅场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金刚石环栅场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括金刚石衬底层；悬浮于所述金刚石衬底层之上的环栅结构，所述环栅结构包括纳米线、栅电极及其包覆的环栅电极；所述纳米线由内向外依次包括金刚石核、金刚石终端表面、介质层以及环栅电极，垂直穿过所述栅电极并被其全面包裹；源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别位于所述栅电极的两侧，与所述金刚石终端表面形成欧姆接触；所述金刚石终端表面和介质层的界面形成二维空穴气；该金刚石环栅场效应晶体管及其制备方法，能够有效缓解因缩小特征尺寸引发的静电问题，同时确保了晶体管的高性能表现，为未来微缩器件的开发奠定了坚实基础。
本发明授权一种金刚石环栅场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金刚石环栅场效应晶体管，其特征在于，包括： 金刚石衬底层1； 悬浮于所述金刚石衬底层1之上的环栅结构2，所述环栅结构2包括纳米线3、栅电极23及其包覆的环栅电极33； 所述纳米线3由内向外依次包括金刚石核34、金刚石终端表面31、介质层32以及环栅电极33，垂直穿过所述栅电极23并被其全面包裹； 源电极21和漏电极22，所述源电极21和漏电极22分别位于所述栅电极23的两侧，与所述金刚石终端表面31形成欧姆接触； 所述金刚石终端表面31和介质层32的界面形成二维空穴气。
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