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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利用于微波通信波段光子相干转换的非悬浮量子换能器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789769B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411880539.0，技术领域涉及：H10N39/00；该发明授权用于微波通信波段光子相干转换的非悬浮量子换能器装置是由邓光伟;张亦非;徐昕尧;唐锦道;陈培钦;周强;王浟;宋海智设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于微波通信波段光子相干转换的非悬浮量子换能器装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于微波通信波段光子相干转换的非悬浮量子换能器装置。换能器主体分为压电机械腔和光声晶体微腔两部分，辅以光波导和电极系统，以机械振子为中介，完成了固态量子比特的微波信号与通信波段光子的双向转换。其中，压电机械腔利用铌酸锂材料，通过压电效应将微波信号转换为机械振动。机械振动通过声子波导传输至光声晶体微腔的缺陷区，与通信波段光子发生耦合。本发明创新性地采用一种非悬浮结构，通过结构设计，在保证较低的机械损耗的同时，极大地提高了换能器的稳定性和散热能力。本装置适用于量子计算、量子通信等领域的微波与光子信号转换，对于量子信息的长程传递、集成式量子计算机等技术的发展具有重要意义。

本发明授权用于微波通信波段光子相干转换的非悬浮量子换能器装置在权利要求书中公布了：1.一种用于微波通信波段光子相干转换的非悬空量子换能器装置，其特征在于： 包括SOI衬底：SOI衬底由三层组成，上下两层为硅，中间为二氧化硅绝缘层； 最上层的硅刻蚀形成换能器装置，包括辅助电极系统1、压电机械腔2、光声晶体微腔3、光波导4，整个换能器结构全部直接与二氧化硅衬底5接触且没有悬空部分； 设定：最上层的硅平面上从光声晶体微腔3指向压电机械腔2的方向为x，y方向垂直于x方向； 辅助电极系统1为声学辐射壁形状，辅助电极系统1沿y方向设置，辅助电极系统1包括两层材料：下层为硅材料、上层为电极材料；压电机械腔2的压电材料设置在辅助电极系统1的硅材料和电极材料之间，辅助电极系统1的所述两层材料和压电机械腔2的压电材料共同构成压电腔，辅助电极系统1与光声晶体微腔3在压电机械腔2处呈丁字型交叉； 光波导4位于光声晶体微腔3一侧且平行于光声晶体微腔3； 所述光声晶体微腔3由带孔的硅纳米梁构成，通过设置硅纳米梁孔系的不同形状、大小和间距，将纳米梁分为声子波导6、缺陷区7和周期区8三个部分，声子进入周期区8时，被反射回缺陷区7，从而实现声子在缺陷区7中的局域； 以压电机械腔里的机械振子为中介完成微波光子到通信波段光子的转化：压电机械腔中的机械振动产生机械振子，即声子，声子沿声子波导6传输进入光声晶体微腔的缺陷区7，通过光声耦合转化为通信波段光子。

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