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龙图腾网获悉成都华兴汇明科技有限公司申请的专利高带外抑制的单层宽带SIW滤波天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119812739B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411733418.3，技术领域涉及：H01Q1/38；该发明授权高带外抑制的单层宽带SIW滤波天线是由肖飞;远东辉;李健开;王晋杰设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本高带外抑制的单层宽带SIW滤波天线在说明书摘要公布了：本发明公开了高带外抑制的单层宽带SIW滤波天线，包括形成于介质基板上具有多种谐振模式的矩形SIW腔体，在矩形SIW腔体内加载有用于将矩形SIW腔体分为谐振于第一谐振模式的左侧谐振腔和右侧谐振腔的第一组短路针；在矩形SIW腔体的左侧谐振腔顶面蚀刻有六边形槽，六边形槽中嵌有谐振于第二谐振模式的六边形微带贴片；在右侧谐振腔内加载有用于右侧谐振腔分为谐振于第三谐振模式的第一谐振腔和第四谐振模式的第二谐振腔的第二组短路针，在矩形SIW腔体的第二谐振腔顶面蚀刻有矩形槽，在矩形SIW腔体的第二谐振腔底面对应矩形槽的位置蚀刻有U型槽，实现了在带外引入了两个辐射零点，实现高带外抑制的滤波特性同时提高了增益。

本发明授权高带外抑制的单层宽带SIW滤波天线在权利要求书中公布了：1.高带外抑制的单层宽带SIW滤波天线，其特征在于，包括形成于介质基板1上具有多种不同谐振模式的矩形SIW腔体，在矩形SIW腔体内加载有用于将矩形SIW腔体分为左侧谐振腔2和右侧谐振腔3的第一组短路针，左侧谐振腔2的谐振模式为第一谐振模式； 在矩形SIW腔体的左侧谐振腔2顶面蚀刻有六边形槽4，六边形槽4中嵌有六边形微带贴片5；六边形微带贴片5的谐振模式为第二谐振模式；在六边形贴片的区域中加载了一个第六短路针pin6，通过加载第六短路针pin6，对左侧谐振腔2的第一谐振模式进行微扰； 在右侧谐振腔3内加载有用于将右侧谐振腔分为第一谐振腔31和第二谐振腔32的第二组短路针，第一谐振腔31的谐振模式为第三谐振模式，在矩形SIW腔体的第二谐振腔32顶面蚀刻有矩形槽6，矩形槽6对第三谐振模式进行微扰，产生谐振点，在矩形SIW腔体的第二谐振腔32底面对应矩形槽6的位置蚀刻有U型槽7，第二谐振腔32的谐振模式为第四谐振模式。

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