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龙图腾网获悉西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院申请的专利漏极调制GaN器件的制备方法及漏极调制GaN器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815851B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411753552.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权漏极调制GaN器件的制备方法及漏极调制GaN器件是由李祥东;刘通;张婕;李秋爽;翟丽荔;程智博;张远航;游淑珍;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本漏极调制GaN器件的制备方法及漏极调制GaN器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种漏极调制GaN器件的制备方法及漏极调制GaN器件，该方法在制备漏极调制GaN器件中两个厚度不同的P‑GaN层时，先沉积厚度较大的P‑GaN层，然后在不同的区域对P‑GaN层进行两次刻蚀，形成较厚的第一P‑GaN层和较薄的P‑GaN层；并且沉积的栅极P‑GaN上的金属与漏极P‑GaN的金属不同，使得栅极为肖特基接触，漏极与P‑GaN、源极、漏极为欧姆接触。根据本发明提供的方法，通过两步刻蚀的方法形成厚度不同的两个P‑GaN层，相较于传统刻蚀凹槽后再生长来制备混合漏极型GaN晶体管HD‑GIT从而减小动态导通电阻方法，本发明的工艺步骤较少、工艺复杂度较低；并且肖特基接触的栅极漏电流更小。

本发明授权漏极调制GaN器件的制备方法及漏极调制GaN器件在权利要求书中公布了：1.一种漏极调制GaN器件的制备方法，其特征在于，包括： 制备衬底； 在所述衬底的上表面沉积P‑GaN层，并对所述P‑GaN层上表面的非第一P‑GaN区域进行刻蚀减薄，形成部分减薄后的P‑GaN层； 对所述部分减薄后的P‑GaN层上表面的非第一P‑GaN区域及非第二P‑GaN区域进行刻蚀直至所述衬底的上表面，以在第一P‑GaN区域内形成第一P‑GaN层，在第二P‑GaN区域内形成第二P‑GaN层； 在所述衬底的两侧分别进行离子注入，以形成第一隔离区和第二隔离区； 在所述第二P‑GaN层上表面沉积欧姆接触金属并进行退火，形成与所述第二P‑GaN层欧姆接触的金属层； 在所述衬底、所述第一P‑GaN层及所述金属层上表面沉积连续的钝化层； 对所述连续的钝化层上表面的栅极凹槽区域进行刻蚀直至所述第一P‑GaN层为止，形成栅极凹槽；并在所述栅极凹槽内沉积与所述第一P‑GaN层肖特基接触的栅极； 对所述连续的钝化层上表面的源极凹槽区域、P‑GaN凹槽区域及漏极凹槽区域进行刻蚀，以分别形成源极凹槽、P‑GaN凹槽及漏极凹槽，其中，所述源极凹槽、所述栅极凹槽、所述P‑GaN凹槽及所述漏极凹槽沿第一方向依次设置，所述第一方向与水平方向平行； 分别在所述源极凹槽、所述漏极凹槽及所述P‑GaN凹槽中沉积欧姆接触金属以在所述源极凹槽中形成与所述衬底欧姆接触的源极，在所述漏极凹槽中形成横向延伸至所述金属层上表面的漏极。

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