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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于非对称P+屏蔽层的SiC MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815885B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411916534.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权基于非对称P+屏蔽层的SiC MOSFET器件及其制备方法是由元磊;黄海超;贾仁需;张玉明设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于非对称P+屏蔽层的SiC MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于非对称P+屏蔽层的SiCMOSFET器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该器件包括：N+衬底和位于N+衬底上的N‑外延层；在N‑外延层内，沿第一方向设置有P阱区；P阱区位于N‑外延层背离N+衬底的一侧，且距N‑外延层的底部有一定空间，以形成器件的漂移区；其中，P阱区包括第一P阱区和第二P阱区，且两者间隔排布；第一方向为垂直于N‑外延层厚度的方向；第二P阱区的底部两侧设有P+屏蔽层；P+屏蔽层与第二P阱区相连，并自第二P阱区下边缘所在的水平位置向上延伸至N‑外延层内部，以形成三维的非对称的深P阱结构。该结构设计降低了由于短沟道引起的泄漏电流，提升了器件的短路耐受能力。

本发明授权基于非对称P+屏蔽层的SiC MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于非对称P+屏蔽层的SiC MOSFET器件，其特征在于，包括：N+衬底1和位于所述N+衬底1上的N‑外延层2； 在所述N‑外延层2内，沿第一方向设置有P阱区3；所述P阱区3位于所述N‑外延层2背离所述N+衬底1的一侧，且距所述N‑外延层2的底部有一定空间，以形成器件的漂移区；其中，所述P阱区3包括第一P阱区3a和第二P阱区3b，且两者间隔排布；所述第一方向为垂直于所述N‑外延层2厚度的方向； 所述第二P阱区3b的底部两侧设有P+屏蔽层4；所述P+屏蔽层4与所述第二P阱区3b相连，并自所述第二P阱区3b下边缘所在的水平位置向上延伸至所述N‑外延层2内部，以形成三维的非对称的深P阱结构； 所述P+屏蔽层4的正上方设置有JFET浅注入区5；所述JFET浅注入区5自所述N‑外延层2的上表面向下延伸，并与所述P+屏蔽层4之间具有一定间距； 所述JFET浅注入区5靠近所述第一P阱区3a的一侧设有JFET深注入区6；所述JFET深注入区6包括第一深注入区6a和第二深注入区6b；所述第一深注入区6a与所述JFET浅注入区5紧邻设置，并自所述N‑外延层2的上表面向下延伸至与所述JFET浅注入区5相同的深度；所述第二深注入区6b自所述第一深注入区6a的下边缘向下延伸至与所述P+屏蔽层4相同的深度，并与所述P+屏蔽层4相连。

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