南通大学崔会会获国家专利权
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龙图腾网获悉南通大学申请的专利二氰胺根配位的单核钴配合物及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119823192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510036557.9，技术领域涉及：C07F15/06；该发明授权二氰胺根配位的单核钴配合物及其制备方法与应用是由崔会会;余馨睿;王金;王淼设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本二氰胺根配位的单核钴配合物及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种二氰胺根配位的单核钴配合物及其制备方法与应用，属于配位化合物技术领域。该单核钴配合物的分子式为Cobim4[NCN2]2，三斜晶系，P‑1空间群，晶胞参数为α＝65.60711°,β＝89.64712°,γ＝68.19712°。本发明提供的单核钴配合物中，二氰胺根不是作为堆积砌块将钴离子链接，而是仅作为单齿配体与钴离子形成单核配合物。同时，该配合物具有顺磁性，在外加场下呈现慢磁弛豫性能，可用用于分子基磁性材料的制备。
本发明授权二氰胺根配位的单核钴配合物及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种二氰胺根配位的单核钴配合物，其特征在于，所述单核钴配合物的分子式为Cobim4[NCN2]2，其中bim为1‑烯丙基咪唑，晶体学参数为：三斜晶系，P‑1空间群，晶胞参数为α＝65.60711°,β＝89.64712°,γ＝68.19712°； 所述单核钴配合物由二氰胺根采用单齿配位模式与钴离子进行配位得到。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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