国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司刘敬伟获国家专利权
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龙图腾网获悉国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司申请的专利一种大区域表面氧化硅厚度均匀性控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119828364B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510124217.1，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权一种大区域表面氧化硅厚度均匀性控制方法是由刘敬伟;张彦乐;李春龙;周良;李超;蔡丰任;花晓强设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大区域表面氧化硅厚度均匀性控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种大区域表面氧化硅厚度均匀性控制方法，包括：在波导衬底上刻蚀形成金属沉积槽，在金属沉积槽内形成金属电极，并在金属沉积槽内填充氧化硅包层，以通过氧化硅包层将金属电极覆盖；在波导衬底的表面与氧化硅包层的表面共同形成的凹凸表面上形成第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行图形化处理，以使图形化的第一光刻胶层在金属电极与金属沉积槽的槽壁之间的间隙上方形成保护结构；以保护结构为掩模，通过刻蚀图形化凹凸表面，以对凹凸表面进行第一次平坦化处理；去除保护结构，再对凹凸表面进行第二次平坦化处理，获得处理后的波导器件。本发明能够对大区域表面氧化硅厚度均匀性进行精确控制，进而提高器件性能及产品良率。
本发明授权一种大区域表面氧化硅厚度均匀性控制方法在权利要求书中公布了：1.一种大区域表面氧化硅厚度均匀性控制方法，其特征在于，包括： 在波导衬底上刻蚀形成金属沉积槽，在所述金属沉积槽内形成金属电极，并在所述金属沉积槽内填充氧化硅包层，以通过所述氧化硅包层将所述金属电极覆盖； 在所述波导衬底的表面与所述氧化硅包层的表面共同形成的凹凸表面上形成第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行图形化处理，以使图形化的所述第一光刻胶层在所述金属电极与所述金属沉积槽的槽壁之间的间隙上方形成保护结构； 以所述保护结构为掩模，通过刻蚀图形化所述凹凸表面，以对所述凹凸表面进行第一次平坦化处理； 去除所述保护结构，再对所述凹凸表面进行第二次平坦化处理，获得处理后的波导器件； 所述方法还包括：在硅衬底上形成第一氧化硅层，在所述第一氧化硅层上形成图形化的波导结构，在所述波导结构上覆盖第二氧化硅层，得到所述波导衬底。
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