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龙图腾网获悉国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司申请的专利一种铌酸锂-氮化硅异质集成电光调制器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119828365B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510124222.2，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权一种铌酸锂-氮化硅异质集成电光调制器及其制备方法是由刘敬伟;李超;李春龙;周良;蔡丰任;张彦乐;花晓强设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铌酸锂-氮化硅异质集成电光调制器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，提供了一种铌酸锂‑氮化硅异质集成电光调制器及其制备方法，所述电光调制器包括衬底、下包层、富硅氮化硅波导芯、铌酸锂‑氮化硅复合波导芯和电极。下包层上形成至少两个凹槽，凹槽包括中部等宽凹槽和位于中部等宽凹槽两端且宽度渐缩的端部渐缩凹槽。富硅氮化硅波导芯位于凹槽内；铌酸锂‑氮化硅复合波导芯包括氮化硅波导芯和铌酸锂薄膜；电极位于富硅氮化硅波导芯两侧，且设置在键合介质层或铌酸锂薄膜上。本发明的电光调制器可以使光场通过富硅氮化硅波导芯在氮化硅波导芯和铌酸锂‑氮化硅复合波导芯之间进行层间耦合过渡，可以降低膜层厚度，同时确保层间耦合的均一性。

本发明授权一种铌酸锂-氮化硅异质集成电光调制器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铌酸锂‑氮化硅异质集成电光调制器，其特征在于，包括： 衬底1，衬底1上形成下包层2，所述下包层2上形成至少两个凹槽3，所述凹槽3包括中部等宽凹槽31和位于所述中部等宽凹槽31两端且宽度渐缩的端部渐缩凹槽32； 富硅氮化硅波导芯4，所述富硅氮化硅波导芯4位于所述凹槽3内，氮化硅波导芯包括凹槽外氮化硅波导芯和凹槽内氮化硅波导芯，所述凹槽外氮化硅波导芯位于相邻的两个所述凹槽3之间，包括叠层的第一氮化硅波导芯5、中间层6和第二氮化硅波导芯7；所述凹槽内氮化硅波导芯包括所述中间层6、凹槽内第一氮化硅波导芯和凹槽内第二氮化硅波导芯，所述凹槽内第一氮化硅波导芯位于所述中部等宽凹槽31位置，所述凹槽内第二氮化硅波导芯位于所述端部渐缩凹槽32位置，包括位于所述中间层6上方的所述第二氮化硅波导芯7； 铌酸锂‑氮化硅复合波导芯，所述铌酸锂‑氮化硅复合波导芯包括氮化硅波导芯和铌酸锂薄膜9，所述氮化硅波导芯设置在所述富硅氮化硅波导芯4外围的所述下包层2上且覆盖所述富硅氮化硅波导芯4；所述铌酸锂薄膜9经键合介质层8设置在所述氮化硅波导芯上，其中所述铌酸锂薄膜9至少覆盖两个所述富硅氮化硅波导芯4的等宽部分的一部分和一个渐缩部分的全部； 两个电极10，在水平投影上两个所述电极10位于所述富硅氮化硅波导芯4两侧，设置在所述键合介质层8或所述铌酸锂薄膜9上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司，其通讯地址为：101499 北京市怀柔区大中富乐村北红螺东路21号56幢1层106-15室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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