买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司申请的专利一种复合波导结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119828366B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510124228.X，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权一种复合波导结构及其制备方法是由刘敬伟;周良;李春龙;李超;张彦乐;蔡丰任;花晓强设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种复合波导结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种复合波导结构及其制备方法，属于电光调制器技术领域，包括第一波导晶圆，包括衬底、SiO2薄膜、第一金属电极、第一波导结构、第二金属电极和凹槽；第二金属电极通过金属互连通孔与第一金属电极相连，第二金属电极还连接有热调结构，第二金属电极上方设有焊盘孔，凹槽底部位于待键合区第一波导结构的上方；电光薄膜，包括SiO2薄膜、波导凸台和第二波导结构，波导凸台和第二波导结构位于凹槽内，第二波导结构键合于凹槽底部，SiO2薄膜上设有键合预留孔，其位置与焊盘孔位置相对应，第二波导结构材料为电光材料。本申请方案提高了键合区与非键合区工艺结构兼容性，及W2W在异质集成应用中CMOS工艺兼容性。

本发明授权一种复合波导结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合波导结构，其特征在于，包括第一波导晶圆以及与所述第一波导晶圆键合的电光薄膜，所述第一波导晶圆包括第一衬底1、设置在所述第一衬底1上的第一SiO2薄膜2以及设置在所述第一SiO2薄膜2内的第一金属电极3、第一波导结构4、第二金属电极5和凹槽8； 所述第一金属电极3、所述第一波导结构4和所述第二金属电极5在所述第一SiO2薄膜2内所在的高度分别由低到高，所述第一金属电极3位于所述第一波导结构4的两侧，所述第二金属电极5通过金属互连通孔6与所述第一金属电极3相连，所述第二金属电极5还连接有热调结构7，所述第二金属电极5的上方设有焊盘孔9；所述凹槽8位于待键合区，所述凹槽8的底部位于待键合区的所述第一波导结构4的上方； 所述电光薄膜包括依次设置的第二SiO2薄膜14、波导凸台16和第二波导结构15，所述波导凸台16和所述第二波导结构15位于所述凹槽8内，所述第二波导结构15键合于所述凹槽8的底部，所述第二SiO2薄膜14上设有键合预留孔12，所述键合预留孔12的位置与所述焊盘孔9的位置相对应，所述第二波导结构15的材料为电光材料。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司，其通讯地址为：101499 北京市怀柔区大中富乐村北红螺东路21号56幢1层106-15室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。