国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司刘敬伟获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司申请的专利复合波导结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119828368B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510124230.7，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权复合波导结构及其制备方法是由刘敬伟;周良;李春龙;李超;张彦乐;蔡丰任;花晓强设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本复合波导结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种复合波导结构及其制备方法，涉及电光调制器件技术领域，其中，该复合波导结构包括：波导晶圆包括硅基底、设置在硅基底的顶面的SiO2层、波导结构和金属电极，波导结构和金属电极设置在SiO2层中且波导结构的所处层位高于金属电极的所处层位，在水平投影上相邻的两个波导结构在金属电极的两侧；凹槽结构设置在SiO2层中，凹槽结构位于待键合区的波导结构的上方；电光薄膜层键合在凹槽结构内，与凹槽结构下方的波导结构构成复合波导结构。该方案提高了键合区与非键合区的工艺结构兼容性，有利于提高D2W异质集成技术的应用范围或场景。
本发明授权复合波导结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合波导结构，其特征在于，包括： 波导晶圆，所述波导晶圆包括硅基底1、设置在所述硅基底1的顶面的SiO2层2、波导结构4和金属电极3，所述波导结构4和所述金属电极3设置在所述SiO2层2中且所述波导结构4的所处层位高于所述金属电极3的所处层位，在水平投影上相邻的两个所述波导结构4在所述金属电极3的两侧； 凹槽结构8，设置在所述SiO2层2中，所述凹槽结构8位于待键合区的所述波导结构4的上方，所述凹槽结构8的底面至待键合区的所述波导结构4的顶面之间的SiO2厚度小于150nm； 电光薄膜层10，键合在所述凹槽结构8内，与所述凹槽结构8下方的所述波导结构4构成复合波导结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司，其通讯地址为：101499 北京市怀柔区大中富乐村北红螺东路21号56幢1层106-15室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励