国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司刘敬伟获国家专利权
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龙图腾网获悉国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司申请的专利一种复合波导结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119828369B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510124231.1，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权一种复合波导结构及制备方法是由刘敬伟;周良;李春龙;李超;张彦乐;蔡丰任;花晓强设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种复合波导结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种复合波导结构及制备方法，涉及半导体加工技术领域，其中，包括：波导晶圆，波导晶圆包括Si基底层、设置在Si基底层的顶面的SiO2层、波导结构、金属电极和至少一个键合凹槽，波导结构和金属电极设置在SiO2层中且波导结构的所处层位高于金属电极的所处层位；键合凹槽设置在SiO2层中且位于待键合区的波导结构的上方；电光薄膜层，电光薄膜层与键合凹槽一一对应，键合在对应的键合凹槽内，电光薄膜层与对应键合凹槽下方的波导结构构成复合波导结构。在键合时通过下压技术使支撑连接点断裂后将电光薄膜层压入键合凹槽内，实现了小尺寸孔隙内的复合波导结构的加工。
本发明授权一种复合波导结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合波导结构，其特征在于，包括： 波导晶圆，所述波导晶圆包括Si基底层1、设置在所述Si基底层1的顶面的SiO2层2、波导结构4、金属电极3和至少两个键合凹槽9，所述波导结构4和所述金属电极3设置在所述SiO2层2中且所述波导结构4的所处层位高于所述金属电极3的所处层位； 所述键合凹槽9设置在所述SiO2层2中且位于待键合区的所述波导结构4的上方； 电光薄膜层10，所述电光薄膜层10与所述键合凹槽9一一对应，并键合在对应的所述键合凹槽9内，所述电光薄膜层10与对应所述键合凹槽9下方的所述波导结构4构成复合波导结构，其中，所述电光薄膜层10在电光薄膜晶圆中，相邻的所述电光薄膜层10通过SiO2加工形成的支撑连接点连接，在键合时通过下压技术使所述支撑连接点断裂后将所述电光薄膜层10压入所述键合凹槽9内。
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