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龙图腾网获悉湖南航天机电设备与特种材料研究所申请的专利一种基于FLASH芯片的计时方法、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119828436B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411901682.3，技术领域涉及：G04G3/00；该发明授权一种基于FLASH芯片的计时方法、设备及存储介质是由刘燕鑫;唐琼;余安;刘豫;王莲英;丁坤设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于FLASH芯片的计时方法、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于FLASH芯片的计时方法，所述方法利用FLASH芯片中存储单元电平逻辑不可逆的原理，即芯片中逻辑“0”仅可以通过擦除的方式变成逻辑“1”，在上电时擦除一次FLASH芯片的存储单元，后续在计时中将FLASH存储单元中每个比特位作为最小计时间间隔的计数刻度，依次写入逻辑“0”，通过对存储芯片中逻辑“0”的个数进行统计，即可以得到计时总时间，且避免擦操作，有效延长芯片的使用寿命。所述计时方法简单有效，无需配置专用显示器，有效降低项目成本。本发明还提供一种基于FLASH芯片的计时设备和一种计算机可读存储介质。

本发明授权一种基于FLASH芯片的计时方法、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种基于FLASH芯片的计时方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤1，设备启动时，读取FLASH芯片中的特征字，若所述特征字为有效特征字，判定计时基数区的存储数据可信，进入步骤2；若不为所述有效特征字，则所述计时基数区的存储数据不可信，进入步骤3；其中，所述特征字存储于特征字区，用于判断所述计时基数区的存储数据是否可信；所述计时基数区用于存储计时基数，所述计时基数为所述设备通电时所述FLASH芯片的比特位由逻辑“1”改写为逻辑“0”的数量；所述特征字区和所述计时基数区为所述FLASH芯片的分区；所述有效特征字为预设的数值； 步骤2，顺序连续读取所述计时基数区的存储数据，直至最后一个字节的存储数据；将读取的存储数据与0x0000比较，获取第一计时基数和第二计时基数，所述第一计时基数＝所述计时基数区已读数据中0x0000的数量*16，所述第二计时基数＝所述最后一个字节的存储数据中比特位为逻辑“0”的数量，进入步骤4；其中，所述最后一个字节为上次通电时所述FLASH芯片的比特位写入逻辑“0”的最后一个字节； 步骤3，所述第一计时基数为0，所述第二计时基数为0；进入步骤4； 步骤4，第三计时基数加上所述第一计时基数与所述第二计时基数之和，第四计时基数为0，进入步骤5；其中，所述第三计时基数为所述设备本次上电前已通电的总时间所对应的最小计时间隔的数量，所述第四计时基数用于记录所述设备本次通电累计时间所对应的最小计时间隔的数量，所述最小计时间隔为预设的用于计时的时间间隔； 步骤5，擦除所述FLASH芯片的所有扇区，所述特征字区写入所述有效特征字，所述计时基数区的逻辑“0”通过擦除变成逻辑“1”，进入步骤6； 步骤6，当一个所述最小计时间隔到来时，将所述计时基数区的一个比特位的逻辑“1”改写为逻辑“0”，所述第四计时基数加1；重复步骤6，直至断电。

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