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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利监测栅极氧化层厚度的方法和监测区获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119833427B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510025583.1，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权监测栅极氧化层厚度的方法和监测区是由谷东光设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本监测栅极氧化层厚度的方法和监测区在说明书摘要公布了：本发明提供了一种监测栅极氧化层厚度的方法和监测区，对多个监测区分组执行PMOS的阱离子注入和或NMOS的阱离子注入工艺；在所述监测区上生长栅极氧化层；对所述监测区的栅极氧化层进行第一次测量；在所述监测区上形成多晶硅栅极；对部分的实施了NMOS的阱离子注入工艺以及部分的未执行阱离子注入工艺的监测区执行预掺杂注入工艺；对所述监测区的栅极氧化层进行第二次测量；对部分的实施了预掺杂注入工艺和部分的未实施预掺杂注入工艺的监测区执行NMOS和或PMOS的轻掺杂漏以及源漏掺杂注入工艺；对所述监测区的栅极氧化层进行第三次测量。通过在监测区上执行不同的注入工艺，监控栅极氧化层的厚度，判断不同的注入工艺对栅极氧化层的厚度的影响。

本发明授权监测栅极氧化层厚度的方法和监测区在权利要求书中公布了：1.一种监测栅极氧化层厚度的方法，其特征在于，包括：提供多个监测区；对多个所述监测区分组执行阱离子注入工艺，所述阱离子注入工艺包括PMOS的阱离子注入工艺和或NMOS的阱离子注入工艺；在所述监测区上生长栅极氧化层；对所述监测区的所述栅极氧化层进行第一次测量，通过所述第一次测量的结果判断所述阱离子注入工艺对所述栅极氧化层的厚度的影响；在所述监测区上形成多晶硅栅极；对部分的实施了所述NMOS的阱离子注入工艺以及部分的未执行所述阱离子注入工艺的所述监测区执行预掺杂注入工艺；对所述监测区的所述栅极氧化层进行第二次测量，通过所述第二次测量的结果判断所述预掺杂注入工艺对所述栅极氧化层的厚度的影响；对部分的实施了所述预掺杂注入工艺和部分的未实施所述预掺杂注入工艺的监测区执行进一步的注入工艺，所述进一步的注入工艺包括NMOS的轻掺杂漏注入工艺、NMOS的源漏掺杂注入工艺、PMOS的轻掺杂漏注入工艺和PMOS的源漏掺杂注入工艺中的至少一种；对所述监测区的所述栅极氧化层进行第三次测量，通过所述第三次测量的结果判断所述进一步的注入工艺对所述栅极氧化层的厚度的影响。

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