湘潭大学汪洋获国家专利权
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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种高鲁棒性触发型可控硅静电防护器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855243B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411831547.6，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种高鲁棒性触发型可控硅静电防护器件及其制作方法是由汪洋;陈皓天;杨红姣;邓俊;周峰峰设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高鲁棒性触发型可控硅静电防护器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高鲁棒性触发型可控硅静电防护器件，首先，本发明选用传统单向SCR静电防护器件结构，在SCR器件阴极侧添加了一个N阱，形成了三阱结构，并在其中嵌入了一个带P型保护环的肖特基二极管，肖特基二极管优化了器件的触发过程，增加了额外的电流泄放路径，如此，该器件具有低触发电压高鲁棒性的特点，能有效地保护芯片的核心电路。该器件能够应用于0～5.5V工作电压的IO端口的ESD防护。
本发明授权一种高鲁棒性触发型可控硅静电防护器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高鲁棒性触发型可控硅静电防护器件，其特征在于，包括： P型衬底，所述P型衬底上从左至右设有第一N阱、第一P阱、第二N阱；所述第一N阱上之从左往右依次设有第一N+注入、第一P+注入；所述第一P阱上之从左往右依次设有第二P+注入、第三N+注入；在第一P阱与第二N阱之间有第三P+注入；所述第二N阱上中从左往右依次设有第一金属、第四P+注入；所述第三P+注入和第四P+注入共同围绕所述第一金属形成一个闭合的P型保护环；所述第二N阱上的第一金属与第二N阱形成肖特基接触，构成N型肖特基二极管； 所述第一N阱中的第一N+注入、第一P+注入与第二N阱中的第一金属三个电极均连接在一起并做器件的阳极；第一P阱中的第二P+注入与第二N+注入两个电极连接在一起并做器件的阴极。
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