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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学申请的专利SiC/Ga2O3异质结单光子紫外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855274B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411953028.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权SiC/Ga2O3异质结单光子紫外探测器及其制备方法是由袁昊;杜丰羽;韩超设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本SiC/Ga2O3异质结单光子紫外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SiCGa2O3异质结单光子紫外探测器及其制备方法，该方法包括：制备器件功能层，并刻蚀形成具有倾角的台面结构；在台面结构的上表面淀积第一钝化层；刻蚀第一钝化层及n+型Ga2O3外延层，形成感光窗口；在器件的上表面和下表面分别淀积NiAu金属后，进行欧姆接触自对准化，接着进行欧姆接触透明化处理，在各感光窗口内形成阳极透明欧姆接触、在器件下表面形成阴极透明欧姆接触；在位于各感光窗口侧壁的阳极透明欧姆接触的上表面形成阳极金属电极；在各感光窗口内阳极透明欧姆接触的上表面形成第二钝化层，并在阴极透明欧姆接触的下表面形成阴极金属电极。本发明解决了使用单一SiC材料制备单光子紫外探测器带来的器件性能低下的问题。

本发明授权SiC/Ga2O3异质结单光子紫外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SiCGa2O3异质结单光子紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括： 制备器件功能层，并通过刻蚀形成具有倾角的台面结构；所述器件功能层包括自下而上依次包括：P+型SiC衬底、P+型SiC外延层、n‑型Ga2O3外延层和n+型Ga2O3外延层； 在所述台面结构的上表面淀积第一钝化层； 刻蚀所述第一钝化层及所述n+型Ga2O3外延层，形成多个感光窗口； 在器件的上表面和下表面分别淀积NiAu金属后，利用快速热退火工艺进行欧姆接触自对准化，接着用药水进行欧姆接触透明化处理，在各所述感光窗口内形成阳极透明欧姆接触、在所述器件的下表面形成阴极透明欧姆接触，同时使第一钝化层上的残留金属被洗去，使经过退火反应的第一钝化层回流成蛾眼阵列； 在位于各感光窗口侧壁的阳极透明欧姆接触的上表面形成阳极金属电极； 在各感光窗口内阳极透明欧姆接触的上表面形成第二钝化层，并在所述阴极透明欧姆接触的下表面形成阴极金属电极，获得制备完成的SiCGa2O3异质结单光子紫外探测器。

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