西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学杜丰羽获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学申请的专利同型碳化硅氧化镓异质结紫外光电二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855303B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411953020.0，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权同型碳化硅氧化镓异质结紫外光电二极管及其制备方法是由杜丰羽;韩超;周瑜设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本同型碳化硅氧化镓异质结紫外光电二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种同型碳化硅氧化镓异质结紫外光电二极管及其制备方法，紫外光电二极管包括衬底、叠加于衬底之上的外延层、叠加于外延层之上的蛾眼阵列钝化层、叠加于外延层上表面除子钝化层外的区域的肖特基接触层、叠加于肖特基接触层之上的阳极、叠加于蛾眼阵列钝化层和阳极之上的钝化保护层、叠加于衬底之下的欧姆接触层和叠加于欧姆接触层之下的阴极；其中，蛾眼阵列钝化层包括多个间隔排列的呈蛾眼状的子钝化层；子钝化层的材料为碱土掺杂氧化硅。本发明提供的同型碳化硅氧化镓异质结紫外光电二极管能够有效地降低光的反射，提高光的利用率，且制备过程简单高效。
本发明授权同型碳化硅氧化镓异质结紫外光电二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种同型碳化硅氧化镓异质结紫外光电二极管，其特征在于，所述同型碳化硅氧化镓异质结紫外光电二极管包括： 衬底；所述衬底的材料为SiC； 叠加于所述衬底之上的外延层；所述外延层包括第一外延层和叠加于所述第一外延层之上的第二外延层；所述第一外延层的材料为SiC；所述第二外延层的材料为Ga2O3； 叠加于所述外延层之上的蛾眼阵列钝化层；所述蛾眼阵列钝化层包括多个间隔排列的呈蛾眼状的子钝化层；所述子钝化层的材料为碱土掺杂氧化硅； 叠加于所述外延层上表面除子钝化层外的区域的肖特基接触层； 叠加于所述肖特基接触层之上的阳极； 叠加于所述蛾眼阵列钝化层和所述阳极之上的钝化保护层； 叠加于所述衬底之下的欧姆接触层； 叠加于所述欧姆接触层之下的阴极。
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