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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种半导体激光芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119864715B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411468962.X，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种半导体激光芯片是由郑锦坚;邓和清;寻飞林;陈婉君;蔡鑫;钟志白;曹军;胡志勇;张江勇;李水清设计研发完成，并于2024-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体激光芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体激光芯片，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、第一上包覆层、电子阻挡层、第二上包覆层，所述下波导层为光场局域效应增强下波导层；所述光场局域效应增强下波导层为InGaNGaN超晶格、InGaNAlGaN超晶格、InGaNAlInGaN超晶格、InGaNAlInN超晶格、GaNAlGaN超晶格、GaNAlInGaN超晶格的任意一种或任意组合，厚度为10～1000nm。本发明降低光场的内部吸收损耗，抑制激光器的折射率色散，降低高浓度载流子浓度起伏对有效折射率的影响，增强激光器的限制因子、光场局域效应和模式增益。

本发明授权一种半导体激光芯片在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光芯片，从下至上依次包括衬底100、下包覆层101、下波导层102、有源层103、上波导层104、第一上包覆层105、电子阻挡层106、第二上包覆层107，其特征在于，所述下波导层102为光场局域效应增强下波导层102；所述光场局域效应增强下波导层102为InGaN、GaN、InN、AlInGaN、AlInN、InGaNGaN超晶格、InGaNAlGaN超晶格、InGaNAlInGaN超晶格、InGaNAlInN超晶格、GaNAlGaN超晶格、GaNAlInGaN超晶格的任意一种或任意组合，厚度为10~1000nm； 所述光场局域效应增强下波导层102的光子能量吸收系数的谷值位置往下包覆层101方向的上升角度为α，所述光场局域效应增强下波导层102的光子能量吸收系数的峰值位置往有源层103方向的下降角度为β，其中：30°≤α≤β≤90°； 所述光场局域效应增强下波导层102的轻空穴有效质量的谷值位置往下包覆层101方向的上升角度为γ，所述光场局域效应增强下波导层102的轻空穴有效质量的峰值位置往有源层103方向的下降角度为θ，其中：15°≤γ≤θ≤90°； 所述光场局域效应增强下波导层102空穴迁移率的峰值位置往下包覆层101方向的下降角度为δ，所述光场局域效应增强下波导层102的空穴迁移率的谷值位置往有源层103方向的上升角度为σ，其中：45°≤δ≤σ≤90°； 所述光场局域效应增强下波导层102的饱和电子漂移速率的峰值位置往下包覆层101方向的下降角度为φ，所述光场局域效应增强下波导层102的饱和电子漂移速率的谷值位置往有源层103方向的上升角度为ψ，其中：25°≤φ≤ψ≤90°。

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