中国科学技术大学吕頔获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利铁电存储器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866015B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510105355.5，技术领域涉及：H10B51/30；该发明授权铁电存储器的制备方法是由吕頔;张强设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本铁电存储器的制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种铁电存储器的制备方法，包括在第一衬底上依次外延生长水溶性牺牲层、第一铁电层、导电层和第二铁电层；将黏附层结合到支撑层上，并通过黏附层将支撑层粘附到第二铁电层上，得到第一复合结构；将第一复合结构浸入去离子水中，以去除水溶性牺牲层和第一衬底，得到第二复合结构；转移第二复合结构，使得第一铁电层接触晶体管的金属层，并置于第一有机溶剂中浸泡，去除黏附层和支撑层，从而暴露第二铁电层；在第二铁电层上制备连接电极，并使连接电极穿过第二铁电层与导电层连接，得到铁电存储器。
本发明授权铁电存储器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铁电存储器的制备方法，包括： 在第一衬底上依次外延生长水溶性牺牲层、第一铁电层、导电层和第二铁电层； 将黏附层结合到支撑层上，并通过所述黏附层将所述支撑层粘附到所述第二铁电层上，得到第一复合结构； 将所述第一复合结构浸入去离子水中，以去除所述水溶性牺牲层和所述第一衬底，得到第二复合结构； 转移所述第二复合结构，使得所述第一铁电层接触晶体管的金属层，并置于第一有机溶剂中浸泡，去除所述黏附层和所述支撑层，从而暴露所述第二铁电层，所述晶体管的金属层与所述晶体管的源极通过通孔中的金属连接； 在所述第二铁电层上制备连接电极，并使所述连接电极穿过所述第二铁电层与所述导电层连接，得到所述铁电存储器。
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