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龙图腾网获悉清华大学;北京量子信息科学研究院申请的专利一种适用于磁光光谱测试中法拉第旋光效应的校正方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119880816B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510073133.X，技术领域涉及：G01N21/21；该发明授权一种适用于磁光光谱测试中法拉第旋光效应的校正方法和装置是由翟雨欣;熊启华;胡立立;秦廷箫;张秀设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于磁光光谱测试中法拉第旋光效应的校正方法和装置在说明书摘要公布了：本公开涉及一种适用于磁光光谱测试中法拉第旋光效应的校正方法和装置，该方法包括：根据目标偏振状态，确定设置于磁光光谱测试系统的激发光路的第一线偏振片对应的角度；根据预设偏振构型，确定设置于磁光光谱测试系统的收集光路的第二线偏振片对应的参考角度；在磁光光谱测试系统处于不同磁场强度的情况下，根据参考角度，分别确定设置于激发光路的第一半波片的角度与不同磁场强度之间的第一映射关系，以及设置于收集光路的第二半波片的角度与不同磁场强度之间的第二映射关系，进而确定磁光光谱测试系统处于目标磁场强度下的校准方案。本公开实施例可以利用线偏振片和半波片的角度调整，校正法拉第效应引起的偏振误差，并具有较高的适用性。

本发明授权一种适用于磁光光谱测试中法拉第旋光效应的校正方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种适用于磁光光谱测试中法拉第旋光效应的校正方法，其特征在于，包括： 根据目标偏振状态，确定设置于磁光光谱测试系统的激发光路的第一线偏振片对应的角度，其中，所述目标偏振状态包括所述激发光路对应的目标激发光的偏振角度； 根据预设偏振构型，确定设置于所述磁光光谱测试系统的收集光路的第二线偏振片对应的参考角度，其中，所述预设偏振构型用于指示所述目标激发光的偏振方向与所述收集光路对应的收集光的偏振方向之间的关系，所述预设偏振构型包括：所述目标激发光对应的偏振方向与所述收集光对应的偏振方向平行，或所述目标激发光对应的偏振方向与所述收集光对应的偏振方向垂直； 在所述磁光光谱测试系统处于不同磁场强度的情况下，根据所述参考角度，对设置于所述激发光路的第一半波片进行校准，确定所述第一半波片的角度与不同磁场强度之间的第一映射关系； 在所述磁光光谱测试系统处于不同磁场强度的情况下，根据所述参考角度，对设置于所述收集光路的第二半波片进行校准，确定所述第二半波片的角度与不同磁场强度之间的第二映射关系； 根据所述第一映射关系和所述第二映射关系，确定所述磁光光谱测试系统处于目标磁场强度下的校准方案，其中，所述校准方案用于指示所述磁光光谱测试系统处于所述目标磁场强度的情况下，所述第一半波片和所述第二半波片的角度。

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