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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利OPC模型的量化评估方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119882360B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510105516.0，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权OPC模型的量化评估方法是由伍思昕;杨颖玥;李玉莹设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本OPC模型的量化评估方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种OPC模型的量化评估方法，基于OPC模型，得到各个光罩图形的光强分布I，光强分布I由必须项、辅助项以及调节各项的系数组成；通过各个光罩图形的光强分布I和晶圆关键尺寸得到光强Imeas，光强Imeas为各个光罩图形在量测关键尺寸端点所在位置的光强，获取各个光罩图形光强Imeas和光强Ithreshole的差值Ierr，以所有光罩图形为样本获取差值Ierr的均方根，根据差值Ierr以及差值Ierr的均方根评估OPC模型的优化方向；对光罩图形进行分类，并分别获取OPC模型各分类的光强Imeas和光强Ithreshole的差值Ierr以及差值Ierr的均方根，以实现对OPC模型的优化方向的细分量化评估。本发明得到的评估结果为OPC模型的优化提供较为明确的方向，缩短建模周期，并且有助于得到更贴近需求的OPC模型。

本发明授权OPC模型的量化评估方法在权利要求书中公布了：1.一种OPC模型的量化评估方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、基于OPC模型，得到各个光罩图形的光强分布I，光强分布I由必须项、辅助项以及调节各项的系数组成，晶圆关键尺寸在光罩图形上的位置延长线即为各个光罩图形的测量轴，光强分布I上光强Ithreshole的位置为OPC模型对光罩图形在晶圆上的对应图形轮廓的仿真，图形轮廓和测量轴的交点之间的距离，为OPC模型对光罩图形在晶圆上的对应图形的关键尺寸的仿真； 步骤二、通过各个光罩图形的光强分布I和晶圆关键尺寸得到光强Imeas，光强Imeas为各个光罩图形在量测关键尺寸端点所在位置的光强，获取各个光罩图形光强Imeas和光强Ithreshole的差值Ierr，以所有光罩图形为样本获取差值Ierr的均方根，根据差值Ierr以及差值Ierr的均方根评估OPC模型的优化方向； 步骤三、对光罩图形进行分类，并分别获取OPC模型各分类的光强Imeas和光强Ithreshole的差值Ierr以及差值Ierr的均方根，以实现对OPC模型的优化方向的细分量化评估。

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