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龙图腾网获悉江西乾照半导体科技有限公司申请的专利一种多结太阳能电池结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894110B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510224927.1，技术领域涉及：H10F10/161；该发明授权一种多结太阳能电池结构及其制备方法是由吴真龙设计研发完成，并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多结太阳能电池结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种多结太阳能电池结构及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，在存在晶格失配的第一子电池和第二子电池之间设置两组变质缓冲层，起到晶格过渡的作用，有效释放第一子电池和第二子电池之间因晶格失配产生的残余应力，并有效阻断第一子电池和第二子电池之间因晶格失配产生的位错向第二子电池的有源区即第二子电池的pn结延伸；而且，第一组变质缓冲层由AlGaInAs材料构成，第二组变质缓冲层由AlGaInP材料构成，AlGaInP材料的硬度高于AlGaInAs材料，使得第二组变质缓冲层更不容易产生位错和缺陷，进一步避免变质缓冲层的位错延伸到第二子电池的有源区，提高多结太阳能电池结构的性能。

本发明授权一种多结太阳能电池结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多结太阳能电池结构，其特征在于，包括衬底和位于所述衬底一侧层叠的多个子电池，所述多个子电池包括相邻设置的第一子电池和第二子电池；所述第一子电池包括由具有第一晶格常数的材料构成的pn结，所述第二子电池包括由具有第二晶格常数的材料构成的pn结，所述第一晶格常数比所述第二晶格常数至少小0.002nm； 其中，所述第一子电池和所述第二子电池之间设置有两组变质缓冲层，第二组变质缓冲层位于第一组变质缓冲层靠近所述第二子电池的一侧； 所述第一组变质缓冲层由AlGaInAs材料构成，所述第一组变质缓冲层包括沿所述第一子电池指向所述第二子电池的方向层叠的m层序列，m≥3，且m为整数；所述第一组变质缓冲层中每层序列的晶格常数大于所述第一晶格常数，且小于所述第二晶格常数；所述第一组变质缓冲层中至少前m‑1层序列的晶格常数逐渐增大； 所述第二组变质缓冲层由GaInP材料或者AlGaInP材料构成，所述第二组变质缓冲层包括沿所述第一子电池指向所述第二子电池的方向层叠的n层序列，n≥2，且n为整数；所述第二组变质缓冲层中每层序列的晶格常数大于所述第一组变质缓冲层中各层序列的平均晶格常数；所述第二组变质缓冲层中，前n‑1层序列的晶格常数逐渐增大，第n‑1层序列的晶格常数大于第n层序列的晶格常数，第n层序列的晶格常数与所述第二晶格常数之间的差值小于预设阈值。

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