上海积塔半导体有限公司黄文天获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利互连工艺缺陷测试结构及临界缺陷值获取方法、互连工艺缺陷卡控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920803B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510105305.7，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权互连工艺缺陷测试结构及临界缺陷值获取方法、互连工艺缺陷卡控方法是由黄文天设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本互连工艺缺陷测试结构及临界缺陷值获取方法、互连工艺缺陷卡控方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种互连工艺缺陷测试结构及临界缺陷值获取方法、互连工艺缺陷卡控方法。本发明通过设计出一种可以获取互连工艺造成的碟形缺陷的测试结构及方法、并获取相应的临界缺陷值，根据临界缺陷值可以在线监控碟形缺陷的逐层累积效果；当碟形缺陷累积到对应的临界缺陷值时，能够在线及时发现进行卡控并补救，避免出现低良。还可以通过建立临界缺陷值与金属线宽对照表，实现对不同金属线宽的晶圆进行在线卡控。由于碟形缺陷造成导线间短路是逐层累积的效果，本发明可以根据临界缺陷值在线及时卡控并可采取补救措施，避免出现低良，保证产品质量稳定。
本发明授权互连工艺缺陷测试结构及临界缺陷值获取方法、互连工艺缺陷卡控方法在权利要求书中公布了：1.一种互连工艺缺陷测试结构，其特征在于，包括：多个测试单元； 每一所述测试单元包括一实验测试晶圆以及一对照测试晶圆，所述实验测试晶圆与所述对照测试晶圆执行了相同的介质层工艺，仅所述实验测试晶圆在相邻两次的介质层工艺之间执行一次互连工艺，其中，所述介质层工艺包括介质层沉积子工艺以及介质层研磨子工艺，所述互连工艺包括金属填充子工艺以及金属研磨子工艺； 多个测试单元的实验测试晶圆所执行的互连工艺次数逐渐变化、从而多个测试单元对应的碟形缺陷值逐渐变化，所述碟形缺陷值为所述测试单元中实验测试晶圆的顶层介质层的膜层厚度与对照测试晶圆的顶层介质层的膜层厚度之间的膜层厚度差值； 通过所述互连工艺缺陷测试结构能够获取所有实验测试晶圆出现异常的测试单元的碟形缺陷值中的最小值作为临界缺陷值。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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