北京超弦存储器研究院吕浩昌获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947108B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311443155.8，技术领域涉及：H10B43/20；该发明授权半导体结构及其制造方法是由吕浩昌;罗杰;平延磊;侯霖杰设计研发完成，并于2023-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法。在本申请实施例所提供的半导体结构的制造方法中，在半导体柱和衬底之间形成第一通道后，通过基于氧化反应工艺和刻蚀工艺处理第一通道，从而能够去除空腔的连接处的凸部，能够起到平坦化的作用，使得形成的位线通道的平坦化程度大于第一通道的平坦化程度，便于后续在位线通道中形成较为平整的位线。有助于降低位线中出现空洞的几率，有助于保障位线的品质。同时，有助于保障位线沿延伸方向的径向尺寸的均一性，有助于保障位线的电学性能。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 在衬底的一侧形成多个第一侧墙和用于间隔所述第一侧墙的第一沟槽；所述第一侧墙包括多个半导体柱和多个牺牲柱，所述半导体柱和所述牺牲柱沿平行于所述衬底的第一方向交替排列；所述第一沟槽沿所述第一方向延伸； 形成覆盖所述第一侧墙的第一保护结构； 以所述第一保护结构为掩膜，刻蚀露出在所述第一沟槽底部的所述衬底和位于所述半导体柱下方的衬底，使得所述半导体柱和所述衬底之间形成第一通道；所述第一通道包括多个沿平行于所述衬底且垂直于所述第一方向的第二方向排布且连通的空腔，任意相邻两个所述空腔的连接处形成有凸部； 基于氧化反应工艺和刻蚀工艺或基于氮化反应工艺和刻蚀工艺，处理所述第一通道中包括所述凸部的顶壁牺牲层和底壁牺牲层，得到去除所述凸部的位线通道。
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