买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利改善核心元件漏电的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947221B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510039598.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权改善核心元件漏电的方法是由徐凯峰;彭翔;程器设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善核心元件漏电的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善核心元件漏电的方法，方法包括：提供一半导体结构，包括半导体衬底、栅极结构、第一侧墙及硬掩模层；对硬掩模层进行刻蚀以露出栅极结构之间的半导体衬底，并于第一侧墙的外侧形成第二侧墙，且在对其进行刻蚀之前具有一trim步骤；以栅极结构的第二侧墙为自对准条件对半导体衬底进行第一垂直刻蚀工艺以形成沟槽，且沟槽呈倒梯形；对沟槽继续进行横向刻蚀工艺以使得沟槽呈球形；对沟槽继续进行第二垂直刻蚀工艺以使得沟槽达到预定深度；对沟槽继续进行TMAH刻蚀工艺以使得沟槽呈Sigma型。通过本发明解决了现有的核心元件易漏电的问题。

本发明授权改善核心元件漏电的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善核心元件漏电的方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一半导体结构，其包括半导体衬底、形成于所述半导体衬底表面的栅极结构、形成于所述栅极结构两侧的第一侧墙及覆盖于所述栅极结构、所述第一侧墙及所述半导体衬底上的硬掩模层，所述半导体衬底至少包括PMOS形成区域，所述栅极结构至少形成于所述PMOS形成区域内； 对所述硬掩模层进行刻蚀以露出所述栅极结构之间的所述半导体衬底，并于所述第一侧墙的外侧形成第二侧墙，且在对其进行刻蚀之前具有一trim步骤； 以所述栅极结构的第二侧墙为自对准条件对所述半导体衬底进行第一垂直刻蚀工艺以形成沟槽，且所述沟槽呈倒梯形； 对所述沟槽继续进行横向刻蚀工艺以使得所述沟槽呈球形，且球形的所述沟槽在水平方向上距离最大的两个点为两个第一尖端，所述第一尖端在垂直方向上与所述半导体衬底表面之间的距离为第一距离，所述第一尖端在水平方向上与所述栅极结构之间的距离为第二距离； 对所述沟槽继续进行第二垂直刻蚀工艺以使得所述沟槽达到预定深度； 对所述沟槽继续进行TMAH刻蚀工艺以使得所述沟槽呈Sigma型，且Sigma型所述沟槽的深度不变，其在水平方向上距离最大的两个点为两个第二尖端，所述第二尖端在垂直方向上与所述半导体衬底表面之间的距离为第三距离，且所述第三距离等于所述第一距离，所述第二尖端在水平方向上与所述栅极结构之间的距离为第四距离，且所述第四距离小于所述第二距离。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。