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龙图腾网获悉广州增芯科技有限公司申请的专利霍尔磁传感器的电路模型及其仿真模型构建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119962461B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510078861.X，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权霍尔磁传感器的电路模型及其仿真模型构建方法是由朱朝嵩设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本霍尔磁传感器的电路模型及其仿真模型构建方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种霍尔磁传感器的电路模型及仿真模型构建方法，通过在电路模型中引入二极管单元仿真霍尔磁传感器表面的P+掺杂区与工作区之间的寄生二极管，并获取霍尔磁传感器表面掺杂区与工作区之间的寄生二极管的模型参数曲线、电阻单元的电阻参数、电路模型的饱和效应参数以及霍尔磁传感器的灵敏度拟合参数；根据寄生二极管的模型参数曲线、电阻参数、饱和效应参数以及灵敏度拟合参数，建立霍尔磁传感器的电路模型相对应的仿真模型，实现了对霍尔磁传感器的漏电现象以及电流饱和现象的仿真，从而提升对霍尔磁传感器的仿真精度。

本发明授权霍尔磁传感器的电路模型及其仿真模型构建方法在权利要求书中公布了：1.一种仿真模型构建方法，其特征在于，所述仿真模型为对应霍尔磁传感器的电路模型的仿真模型，所述电路模型包括： 内圈电阻单元，所述内圈电阻单元的数量为四个，四个内圈电阻单元呈中心对称分布； 每个所述内圈电阻单元的第一端均连接至公共端，每个所述内圈电阻单元的第二端分别连接至对应的内部端口，以形成十字形电桥； 外圈电阻单元，所述外圈电阻单元的数量为四个，每个所述外圈电阻单元一一对应设置在相邻的两个内部端口之间，且每个所述外圈电阻单元的两端分别与相邻的两个内部端口连接； 二极管单元，所述二极管单元的数量为四个，每个二极管单元的负极连接至相应的内部端口，每个二极管单元的正极均接地； 电流控制电压源，所述电流控制电压源的数量为四个，每个电流控制电压源耦接在相应的内部端口与外部端口之间，所述外部端口作为霍尔磁传感器的外接端口； 所述方法包括： 获取所述霍尔磁传感器的电路模型中二极管单元的模型参数曲线、电阻单元的电阻参数、所述电路模型的饱和效应参数以及所述霍尔磁传感器的灵敏度拟合参数，所述饱和效应参数为电路模型的测量电流达到饱和电流时的模型参数； 基于所述二极管单元的模型参数曲线，获得所述霍尔磁传感器表面掺杂区与工作区之间的寄生二极管的模型参数曲线； 根据所述寄生二极管的模型参数曲线、所述电阻参数、所述饱和效应参数以及所述灵敏度拟合参数，建立所述霍尔磁传感器的电路模型相对应的仿真模型。

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