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龙图腾网获悉瑞昱半导体股份有限公司申请的专利低压降稳压器及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119987471B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311502001.1，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权低压降稳压器及其操作方法是由张咏钧;康汉彰设计研发完成，并于2023-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本低压降稳压器及其操作方法在说明书摘要公布了：本发明提供低压降简称LDO稳压器及其操作方法。该LDO稳压器可包含参考电压产生电路、运算放大器、晶体管以及多阶段配置切换控制电路。该操作方法可包含：进行第一配置操作以启用对应于第一阶段的第一专用电流路径，以容许使用于LDO稳压模式中的目标参考电压在进行第一配置操作后达到第一预定范围；进行第二配置操作以启用对应于第二阶段的第二专用电流路径，以容许目标参考电压在进行第二配置操作后达到第二预定范围；以及进行第三配置操作，以容许目标参考电压在进行第三配置操作后被使用作为在LDO稳压模式中输入至运算放大器的参考电压。

本发明授权低压降稳压器及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种低压降稳压器，包含： 一参考电压产生电路，用来产生至少一参考电压； 一运算放大器，耦接至该参考电压产生电路，用来在该低压降稳压器的一低压降稳压模式中通过负反馈来控制该低压降稳压器的一输出电压； 一晶体管，耦接至该运算放大器，用来在该低压降稳压模式中在该运算放大器的控制下产生该低压降稳压器的该输出电压，以供进一步使用；以及一多阶段配置切换控制电路，耦接至该参考电压产生电路、该运算放大器和该晶体管，用来进行多阶段配置切换控制以对该低压降稳压器的电路架构进行多个配置操作； 其中： 该多阶段配置切换控制电路对该低压降稳压器的该电路架构进行一第一配置操作以启用对应于一第一阶段的一第一专用电流路径，以容许使用于该低压降稳压模式中的一目标参考电压在进行该第一配置操作后达到一第一预定范围； 该多阶段配置切换控制电路对该低压降稳压器的该电路架构进行一第二配置操作以启用对应于一第二阶段的一第二专用电流路径，以容许该目标参考电压在进行该第二配置操作后达到一第二预定范围；以及该多阶段配置切换控制电路对该低压降稳压器的该电路架构进行一第三配置操作，以容许该目标参考电压在进行该第三配置操作后被使用作为在该低压降稳压模式中输入至该运算放大器的参考电压。

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