安徽大学冯健获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种基于三棱柱网格-FDTD的电磁场仿真边界吸收方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119989805B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510086290.4，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种基于三棱柱网格-FDTD的电磁场仿真边界吸收方法及系统是由冯健;周东华;方明;徐珂;邓学松;施阳;杨伟;李一豪;黄志祥;吴先良设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于三棱柱网格-FDTD的电磁场仿真边界吸收方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于三棱柱网格‑FDTD的电磁场仿真边界吸收方法及系统，其中方法包括：构建初始的三菱柱网格FDTD；在三菱柱网格FDTD中添加虚拟点，构建MurABC；利用MurABC，完成电磁场仿真过程中的边界吸收。本发明在三角形网格中，通过智能地设计网格结构和算法进行边界吸收，能够有效地减少反射效应，提升模拟的准确性。这样可以避免不必要的边界干扰，使得整个仿真更加贴近实际情况。
本发明授权一种基于三棱柱网格-FDTD的电磁场仿真边界吸收方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于三棱柱网格‑FDTD的电磁场仿真边界吸收方法，其特征在于，步骤包括： 构建初始的三菱柱网格FDTD； 在所述三菱柱网格FDTD中添加虚拟点，构建MurABC； 利用所述MurABC，完成电磁场仿真过程中的边界吸收； 其中，构建的所述三菱柱网格FDTD包括： 其中，H1、H2、H3、Hz1、Hz2均表示磁场强度；E1、E2、E3、Ez均表示电场强度；m、n、p表示空间坐标；q表示第q个时间步数；∈表示介电常数；μ表示磁导率，Δl表示空间长度；Δt表示时间的变化量；AR表示三菱柱网格中侧面矩形的面积；AT表示三菱柱网格中小三角形的面积；Δz表示z方向的空间步长；AH表示三菱柱网格中六边形面积。
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