杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)张晓强获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)申请的专利一种双波长消色散聚焦自旋太赫兹波发射器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119994614B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510266600.0，技术领域涉及：H01S1/02；该发明授权一种双波长消色散聚焦自旋太赫兹波发射器及制备方法是由张晓强;许涌;林晓阳;赵巍胜设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双波长消色散聚焦自旋太赫兹波发射器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种双波长消色散聚焦自旋太赫兹波发射器及制备方法，包括玻璃衬底、自旋太赫兹薄膜、集成在所述自旋太赫兹薄膜前端的第一超构透镜以及依次集成在所述自旋太赫兹薄膜后端的第二超构透镜和一维光子晶体；所述自旋太赫兹薄膜与第一超构透镜、第二超构透镜之间均设置有二氧化硅插入层；所述一维光子晶体制备于玻璃衬底的前端。本发明基于自旋太赫兹发射器具有前向辐射和后向辐射的特性，分别在自旋太赫兹薄膜前侧集成第一超构透镜、后侧集成第二超构透镜和一维光子晶体结构，分别对前后辐射的两个波段的太赫兹波波前进行调控，使汇聚到同一点，实现消色散功能。
本发明授权一种双波长消色散聚焦自旋太赫兹波发射器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双波长消色散聚焦自旋太赫兹波发射器，包括玻璃衬底和自旋太赫兹薄膜，其特征在于，还包括集成在所述自旋太赫兹薄膜前端的第一超构透镜以及依次集成在所述自旋太赫兹薄膜后端的第二超构透镜和一维光子晶体； 所述自旋太赫兹薄膜与第一超构透镜、第二超构透镜之间均设置有二氧化硅插入层； 所述一维光子晶体制备于玻璃衬底的前端，采用依次交替层叠的二氧化硅和聚4‑甲基‑1‑戊烯TPX作为基元； 所述第一超构透镜、第二超构透镜均采用若干个轴长相同但半径不同的硅圆柱作为基元，每个硅圆柱的轴向一端均与二氧化硅插入层相抵触。
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