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龙图腾网获悉北京大学申请的专利堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997596B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510124629.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件是由吴恒;彭莞越;卢浩然;蒋婧儒;王润声;黎明;黄如设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：去除第二伪栅结构，以暴露第二有源结构和栅极隔离层；在第一半导体单元中的第二有源结构、栅极隔离层之上涂覆光刻胶，并通过光刻工艺，至少去除第二半导体单元中的栅极隔离层；依次去除第一伪栅结构和光刻胶，以暴露第一半导体单元中的第一有源结构、栅极隔离层和第二有源结构，以及第二半导体单元中的第一有源结构和第二有源结构；基于第一半导体单元中的第一有源结构、栅极隔离层和第二有源结构，形成第一栅极结构和第二栅极结构，以及同时基于第二半导体单元中的第一有源结构和第二有源结构，形成第三栅极结构和第四栅极结构。

本发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，所述堆叠晶体管包括第一半导体单元和第二半导体单元和第一载片晶圆，所述第一半导体单元和所述第二半导体单元在第一方向相邻设置； 所述第一半导体单元和所述第二半导体单元中均包括：沿第二方向堆叠的第一有源结构和第二有源结构、所述第一有源结构对应的第一伪栅结构、所述第一有源结构对应的第一源漏结构、所述第二有源结构对应的第二伪栅结构以及所述第二有源结构对应的第二源漏结构；其中，所述第一伪栅结构和所述第二伪栅结构之间形成有栅极隔离层；所述第一半导体单元和所述第二半导体单元中还均包括：包裹所述第一源漏结构的第一层间介质层； 所述第一层间介质层与所述第一载片晶圆连接； 其中，所述方法包括： 去除所述第二伪栅结构，以暴露所述第二有源结构和所述栅极隔离层； 在所述第一半导体单元中的第二有源结构、栅极隔离层之上涂覆光刻胶，并通过光刻工艺，至少去除所述第二半导体单元中的栅极隔离层； 依次去除所述第一伪栅结构和所述光刻胶，以暴露所述第一半导体单元中的第一有源结构、栅极隔离层和第二有源结构，以及所述第二半导体单元中的第一有源结构和第二有源结构； 在所述第一载片晶圆之上沉积半导体材料，以形成栅极填充结构，其中，所述栅极填充结构包裹所述第一半导体单元中的第一有源结构，所述第一半导体单元中的第二有源结构和栅极隔离层暴露于所述栅极填充结构之外；所述栅极填充结构包裹所述第二半导体单元中的第一有源结构，所述第二半导体单元中的第二有源结构暴露于所述栅极填充结构之外； 在所述第一半导体单元中的栅极隔离层和所述第二半导体单元中的栅极填充结构之上，沉积栅极金属材料，以分别形成第二栅极结构和第四栅极结构，其中，所述第二栅极结构与所述第一半导体单元中的栅极隔离层相接； 在所述第二源漏结构之上依次形成背面源漏金属和背面金属互连层； 将所述背面金属互连层与第二载片晶圆键合； 倒片并去除所述第一载片晶圆，以暴露所述栅极填充结构； 去除所述栅极填充结构，以分别暴露所述第一半导体单元中的栅极隔离层和所述第四栅极结构； 在被暴露出的所述第一半导体单元中的栅极隔离层和所述第四栅极结构之上，沉积栅极金属材料，以分别形成第一栅极结构和第三栅极结构，其中，所述第一栅极结构与所述第一半导体单元中的栅极隔离层相接； 其中，所述第一半导体单元中的栅极隔离结构位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间，所述第三栅极结构和所述第四栅极结构相接；所述第一栅极结构和所述第一半导体单元中的第一源漏结构组成第一晶体管，所述第二栅极结构和所述第一半导体单元中的第二源漏结构组成第二晶体管，所述第三栅极结构和所述第二半导体单元中的第一源漏结构组成第三晶体管，所述第四栅极结构和所述第二半导体单元中的第二源漏结构组成第四晶体管；所述第一晶体管和所述第二晶体管组成第一堆叠晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管组成第二堆叠晶体管。

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