华南理工大学陈志坚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种应用于功率放大器的可开关自适应动态偏置电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120074395B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510008822.2,技术领域涉及:H03F1/32;该发明授权一种应用于功率放大器的可开关自适应动态偏置电路是由陈志坚;肖睿;周勇;李斌;王日炎;杨昆明;王昕设计研发完成,并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种应用于功率放大器的可开关自适应动态偏置电路在说明书摘要公布了:本发明公开一种应用于功率放大器的可开关自适应动态偏置电路,涉及射频集成技术,针对现有技术中动态调整不方便等问题提出本方案。自适应线性化偏置模块用于根据自适应线性化偏置模块3的静态电流对功率放大器的线性度指标进行动态调整;开关模块用于根据开关电压在对应干路串联电阻上的压降大小控制所述功率放大器的开启或关闭;静态电流调节模块用于根据参考电压在对应干路串联电阻上的压降大小调节静态电路。优点在于:可实现对功率放大器的线性度指标的动态调整,在抑制自热效应与提高线性度等方面得到均衡。仅需调整偏置电路对应开关的电压即可控制应用的整个功率放大器的开关。能够通过调节电阻来实现精确调整静态电流。
本发明授权一种应用于功率放大器的可开关自适应动态偏置电路在权利要求书中公布了:1.一种应用于功率放大器的可开关自适应动态偏置电路,其特征在于,包括自适应线性化偏置模块Module1、开关模块Module2和静态电流调节模块Module3; 所述自适应线性化偏置模块Module1用于根据自适应线性化偏置模块Module13的静态电流对功率放大器HBT0的线性度指标进行动态调整; 所述开关模块Module2用于根据开关电压Vcon在对应干路串联电阻上的压降大小控制所述功率放大器HBT0的开启或关闭; 所述静态电流调节模块Module3用于根据参考电压Vref在对应干路串联电阻上的压降大小调节静态电路; 所述自适应线性化偏置模块Module1结构为:第一晶体管HBT1集电极通过第一电阻R1连接电源电压Vdd,第一晶体管HBT1射电极通过镇流电阻Rb连接功率放大器HBT0基极,第一晶体管HBT1基极连接开关模块Module2输出端以及通过偏置电容Cbias接地; 所述开关模块Module2结构为:开关电压Vcon通过第二电阻R2作为所述开关模块Module2输出端,并分别连接第二晶体管HBT2基极、第二晶体管HBT2集电极、第三晶体管HBT3基极和第三晶体管HBT3集电极;第二晶体管HBT2射电极通过第三电阻R3连接第四晶体管HBT4基极;第三晶体管HBT3射电极分别连接静态电流调节模块Module3输出端以及第四晶体管HBT4集电极;第四晶体管HBT4射电极通过第四电阻R4接地; 所述静态电流调节模块Module3结构为:第五晶体管HBT5集电极作为所述静态电流调节模块Module3输出端通过第五电阻R5连接开关电压Vcon,第五晶体管HBT5基极连接第六晶体管HBT6基极和第六晶体管HBT6集电极,第五晶体管HBT5射电极通过第六电阻R6连接第七晶体管HBT7基极,第六晶体管HBT6集电极通过第七电阻R7连接参考电压Vref,第六晶体管HBT6射电极连接第七晶体管HBT7集电极,第七晶体管HBT7射电极接地。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华南理工大学,其通讯地址为:510641 广东省广州市天河区五山路381号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励