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龙图腾网获悉中国科学院近代物理研究所申请的专利硅基微结构芯片单元及制备方法、硅基微结构中子探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111973B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510573163.7，技术领域涉及：H10F30/29；该发明授权硅基微结构芯片单元及制备方法、硅基微结构中子探测器是由王秀华;李占奎;李海霞;张宏斌;李荣华;卢子伟;刘凤琼;陈翠红设计研发完成，并于2025-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅基微结构芯片单元及制备方法、硅基微结构中子探测器在说明书摘要公布了：本发明涉及硅基中子探测器技术领域，尤其涉及一种硅基微结构芯片单元及制备方法、硅基微结构中子探测器，硅基微结构芯片单元包括N型硅衬底、二氧化硅厚栅隔离层、硼离子层、二氧化硅薄栅钝化层、磷离子层、P面金属电极、N面金属电极和中子材料填充层，形成一种深孔型的硅基PIPS微结构，一方面可以将中子转换材料高效地填充到微结构深孔中，增加硅与转换材料的接触面积，另一方面深孔型微结构尺寸的合理设计，使次级带电粒子的能量更大程度地沉积在硅中，为获得更高的热中子探测效率提供了保障。本发明采用硅PIPS制备工艺，使微结构中子探测器对不同能量的次级带电粒子的探测具有更低的噪声、更高的能量分辨和位置分辨以及更高的工作稳定性。

本发明授权硅基微结构芯片单元及制备方法、硅基微结构中子探测器在权利要求书中公布了：1.一种硅基微结构芯片单元，其特征在于，包括： N型硅衬底1，所述N型硅衬底1上形成有多个中子材料填充孔11，多个所述中子材料填充孔11在所述N型硅衬底1上呈矩阵排布； 二氧化硅厚栅隔离层2，位于所述N型硅衬底1的第一表面，所述二氧化硅厚栅隔离层2形成有贯穿所述二氧化硅厚栅隔离层2的多个第一通孔21、多个第二通孔22以及电极槽23，多个所述第一通孔21在所述二氧化硅厚栅隔离层2上与多个所述中子材料填充孔11一一对应排布，所述第一通孔21与所述中子材料填充孔11对应连通，多个所述第二通孔22在所述二氧化硅厚栅隔离层2呈矩阵排布； 硼离子层3，形成于所述N型硅衬底1第一表面的表层内，且分布于所述第二通孔22以及所述电极槽23在所述N型硅衬底1的投射区域； 二氧化硅薄栅钝化层4，位于所述第二通孔22内，且触接于所述硼离子层3； 磷离子层5，形成于所述N型硅衬底1第二表面的表层内； P面金属电极6，设置于所述电极槽23，且触接于所述硼离子层3； N面金属电极7，位于所述N型硅衬底1的第二表面，且触接于所述磷离子层5； 中子材料填充层8，填充于所述第一通孔21、所述中子材料填充孔11以及所述第二通孔22且覆盖所述二氧化硅厚栅隔离层2上表面。

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