合肥晶合集成电路股份有限公司汪文婷获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种MOSFET栅极功函数的获取方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120177986B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510665634.7，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种MOSFET栅极功函数的获取方法及系统是由汪文婷;王磊;邓少鹏;刘波设计研发完成，并于2025-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOSFET栅极功函数的获取方法及系统在说明书摘要公布了：本发明属于微电子器件技术领域，公开一种MOSFET栅极功函数的获取方法及系统，该方法首先获取待测MOS器件的实际阈值电压，并根据待测MOS器件栅极的类型对待测MOS器件的栅极功函数进行预先设定；然后将所述预设功函数输入预设的仿真模型中进行拟合，获取拟合的阈值电压，当实际的阈值电压与拟合的阈值电压误差小于预设的误差值时，所述预设功函数为待测MOS器件的栅极电性功函数。综上所述，该方法通过仿真的方法，将待测MOS器件的实际阈值电压与拟合阈值电压进行比较，有效提升了获取的MOSFET栅极功函数的准确度、重复性和可靠性。
本发明授权一种MOSFET栅极功函数的获取方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET栅极功函数的获取方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：获取待测MOS器件实际的阈值电压，并根据待测MOS器件栅极的类型对待测MOS器件的栅极功函数进行预先设定； S2：将预先设定的栅极功函数输入预先构建的仿真模型中进行拟合，获取拟合阈值电压； S3：将所述拟合阈值电压与步骤S1获取的待测MOS器件的实际阈值电压进行比较，若拟合阈值电压与实际阈值电压差值的绝对值小于预设的误差值，所述预先设定的栅极功函数即为待测MOS器件的栅极电性功函数；反之，则更新预先设定的栅极功函数，并重复步骤S2~S3，直至拟合阈值电压与实际阈值电压差值的绝对值不大于预设的误差值，完成待测MOS器件栅极功函数的获取。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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