浙江晶科能源有限公司潘挽婷获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶科能源有限公司申请的专利光伏电池及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120187150B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510648192.5，技术领域涉及：H10F77/1226；该发明授权光伏电池及其制造方法是由潘挽婷;廖晖;徐孟雷;郑霈霆;杨洁;张昕宇设计研发完成，并于2025-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本光伏电池及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及光伏领域，提供一种光伏电池及其制造方法，光伏电池的制造方法，包括：沿第一方向相对的第一面和第二面的硅基底，第一面包括沿第二方向间隔排布的多个第一区；基于硅基底在第一区上形成含硅元素的初始掺杂层，初始掺杂层远离硅基底的表面包括至少一个第二区；在第二区上形成含锗层；至少在含锗层远离第二区的一侧形成初始栅线；对初始栅线进行激光增强接触优化处理，促使含锗层中的锗元素与初始掺杂层中的硅元素发生反应以形成锗硅合金层，剩余初始掺杂层作为掺杂层，初始栅线转化为栅线，至少有利于提升栅线对载流子的收集效率，以及提升第一面对光的利用率。
本发明授权光伏电池及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光伏电池的制造方法，其特征在于，包括： 提供硅基底，所述硅基底具有沿第一方向相对的第一面和第二面，所述第一面包括沿第二方向间隔排布的多个第一区，所述第一方向为所述硅基底的厚度方向，所述第二方向与所述第一方向相交； 基于所述硅基底在所述第一区上形成含硅元素的初始掺杂层，所述初始掺杂层远离所述硅基底的表面包括至少一个第二区，以所述第一面为正投影面，所述第二区的正投影仅与所述第一区的部分正投影重合； 在所述第二区上形成含锗层； 至少在所述含锗层远离所述第二区的一侧印刷导电浆料，对所述导电浆料进行烘干处理，以将所述导电浆料转化为初始栅线； 对所述初始栅线进行激光增强接触优化处理，促使所述含锗层中的锗元素与所述初始掺杂层中的硅元素发生反应以形成锗硅合金层，剩余所述初始掺杂层作为掺杂层，所述初始栅线转化为栅线。
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