中国人民解放军国防科技大学宋辞获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利基于误差特征解耦的变角度-变下压量协同气囊抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120277935B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510780759.4，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权基于误差特征解耦的变角度-变下压量协同气囊抛光方法是由宋辞;陈云恒;王博;龙江林;石峰;王占洋;蒋昭阳设计研发完成，并于2025-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于误差特征解耦的变角度-变下压量协同气囊抛光方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于误差特征解耦的变角度‑变下压量协同气囊抛光方法，包括获取光学元件的面形误差数据；构建气囊抛光工艺的抛光头角度模型，自适应调整光栅轨迹的步长生成优化光栅路径；对面形误差数据建立下压量的分区规则，针对误差梯度陡变区域实施阶梯式下压量递增策略，对误差低点区域启动下压量限幅机制，从而确定光学元件表面的下压量约束；采用预设的优化算法求解最优参数组合，根据气囊抛光工艺的最优参数组合对光学元件执行变角度‑变下压量协同的气囊抛光。本发明旨在实现中高频误差抑制与梯度误差快速修正的同步优化，提高光学元件高精度抛光的加工效率和加工精度。
本发明授权基于误差特征解耦的变角度-变下压量协同气囊抛光方法在权利要求书中公布了：1.一种基于误差特征解耦的变角度‑变下压量协同气囊抛光方法，其特征在于，包括下述步骤：获取光学元件的面形误差数据；对面形误差数据进行面形误差多尺度分解，提取中高频误差特征和低频梯度误差特征；基于中高频误差特征和低频梯度误差特征构建气囊抛光工艺的抛光头角度模型，结合抛光头角度模型自适应调整光栅轨迹的步长；结合光栅轨迹的步长和气囊抛光工艺的抛光头角度模型生成优化光栅路径；对面形误差数据建立下压量的分区规则，针对误差梯度陡变区域实施阶梯式下压量递增策略，对误差低点区域启动下压量限幅机制，从而确定光学元件表面的下压量约束；根据确定的抛光头角度模型、优化光栅路径和光学元件表面的下压量约束，采用预设的优化算法来求解气囊抛光工艺的工艺参数以获得气囊抛光工艺的最优参数组合，根据气囊抛光工艺的最优参数组合对光学元件执行变角度‑变下压量协同的气囊抛光。
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