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龙图腾网获悉鹏城实验室申请的专利忆阻器、具有随机丢弃功能的脉冲神经元及神经网络获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120278209B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510749952.1，技术领域涉及：G06N3/065；该发明授权忆阻器、具有随机丢弃功能的脉冲神经元及神经网络是由祝绳龙;李阳;王伟;黄犹娜设计研发完成，并于2025-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本忆阻器、具有随机丢弃功能的脉冲神经元及神经网络在说明书摘要公布了：本申请公开了一种忆阻器、具有随机丢弃功能的脉冲神经元及神经网络，涉及神经网络技术领域，该忆阻器包括层叠设置的活性电极层、阻变层以及惰性电极层，阻变层具有离子迁移特性，忆阻器通过阻变层获得易失性模拟开关阻变行为，忆阻器通过在活性电极层施加正电压获得数字开关阻变行为，忆阻器的数字开关阻变行为在易失性数字开关阻变行为和非易失性数字开关阻变行为中随机变化。通过上述方式，忆阻器具有三种不同的阻变行为，两个忆阻器串联后，一个利用易失性和非易失性数字开关阻变行为实现Dropout功能，另一个利用易失性的模拟开关行为实现LIF功能，在硬件上构建出具有概率可调的Dropout功能的脉冲神经元及神经网络。

本发明授权忆阻器、具有随机丢弃功能的脉冲神经元及神经网络在权利要求书中公布了：1.一种具有随机丢弃功能的脉冲神经元，其特征在于，所述具有随机丢弃功能的脉冲神经元包括第一功能神经元和第二功能神经元，所述第一功能神经元和所述第二功能神经元均为如下忆阻器： 所述忆阻器包括活性电极层、阻变层以及惰性电极层，所述阻变层位于所述活性电极层上方，所述惰性电极层位于所述阻变层上方，所述阻变层具有离子迁移特性，所述忆阻器通过所述阻变层获得易失性模拟开关阻变行为，所述忆阻器通过在所述活性电极层施加正电压获得数字开关阻变行为，所述忆阻器的数字开关阻变行为在易失性数字开关阻变行为和非易失性数字开关阻变行为中随机变化，所述易失性数字开关阻变行为在所述随机变化中的随机表现概率随限制电流的增大而减小，所述非易失性数字开关阻变行为在所述随机变化中的随机表现概率随限制电流的增大而增大；所述活性电极层在施加正电压时在所述阻变层中形成导电细丝，所述导电细丝的断裂存在随机性，若所述导电细丝在撤去电压后断裂，则使得所述忆阻器获得易失性数字开关阻变行为，若所述导电细丝在撤去电压后未断裂，则使得所述忆阻器获得非易失性数字开关阻变行为；所述阻变层的离子迁移特性使得所述忆阻器的阻值根据电场强度和电场方向进行变化，获得易失性模拟开关阻变行为； 所述第一功能神经元和所述第二功能神经元通过共用活性电极层进行串联，共用的活性电极层施加目标电压，所述第二功能神经元的惰性电极层接地； 所述第一功能神经元，用于基于随机变化的易失性数字开关阻变行为和非易失性数字开关阻变行为，模拟随机丢弃的过程； 所述第二功能神经元，用于基于易失性模拟开关阻变行为，模拟生物神经元接收外界刺激的反应过程。

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