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龙图腾网获悉长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120280431B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510733309.X，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆是由唐宇坤;罗成志设计研发完成，并于2025-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆，该半导体器件包括：半导体结构；其中，所述半导体结构包括半导体本体和第一介质层，所述第一介质层位于所述半导体本体的一侧；所述第一介质层包括第一导电孔和第二导电孔；第一导电层，位于所述第一导电孔中，其中，所述第一导电层与所述半导体本体电连接；第二导电层，位于在所述第二导电孔中，其中，所述第二导电层与所述半导体结构电连接；所述第一导电层的材料与所述第二导电层的材料不同。本发明提供了一种半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆，可以提高半导体器件的可靠性，也可以降低半导体器件的制作成本。

本发明授权半导体器件及制作方法、功率模块、功率转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体结构，所述半导体结构包括半导体本体和第一介质层，所述第一介质层位于所述半导体本体的一侧；所述第一介质层包括第一导电孔和第二导电孔； 第一导电层，位于所述第一导电孔中，其中，所述第一导电层与所述半导体本体电连接； 第二导电层，位于在所述第二导电孔中，其中，所述第二导电层与所述半导体结构电连接，所述第二导电层的材料包括钛和氮化钛、金、银中的任一种或其组合；所述第一导电层的材料与所述第二导电层的材料不同； 所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；所述半导体本体还包括栅极结构；其中，所述栅极结构设置于所述第一表面或者所述栅极结构从所述第一表面延伸至所述半导体本体中；所述栅极结构包括第二介质层和栅极，所述栅极的材料包括多晶硅，所述第二介质层用于绝缘间隔所述栅极和所述半导体本体；所述第二导电层与栅极接触； 所述半导体器件还包括第三导电层和第四导电层； 所述第三导电层位于所述第一导电层远离所述半导体本体的一侧，并与所述第一导电层电连接； 所述第四导电层位于所述第二导电层远离所述半导体本体的一侧，并与所述第二导电层电连接； 第三导电层为半导体器件的源极导电层，第四导电层为半导体器件的栅极导电层。

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