四川科尔威光电科技有限公司徐健获国家专利权
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龙图腾网获悉四川科尔威光电科技有限公司申请的专利一种含金锡图形的光刻胶剥离方法及晶圆芯片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120295072B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510772415.9，技术领域涉及：G03F7/42；该发明授权一种含金锡图形的光刻胶剥离方法及晶圆芯片的制备方法是由徐健;邱天;杜晶;翟军云设计研发完成，并于2025-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种含金锡图形的光刻胶剥离方法及晶圆芯片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种含金锡图形的光刻胶剥离方法及晶圆芯片的制备方法，属于集成电路制造与封装领域，在晶圆光刻图形化形成金锡合金层后，去除光刻胶包括以下步骤：S8，浸入丙酮溶液，在0.2A~1A电流下超声10min~30min，浸入异丙醇溶液1min~10min；S9，等离子去胶机去光刻胶得晶圆芯片产品。本发明在不损伤金锡合金的性能前提下，通过湿法和干法去胶工艺的协同作用，快速得到无光刻胶残留的金锡晶圆产品。
本发明授权一种含金锡图形的光刻胶剥离方法及晶圆芯片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含金锡图形的光刻胶剥离方法，其特征在于，在晶圆光刻图形化形成金锡合金层后，去除光刻胶包括以下步骤： S8，浸入丙酮溶液，在0.6A电流下超声10min~30 min，浸入异丙醇溶液1min~10 min； S9，等离子去胶机去光刻胶得晶圆芯片产品，等离子去胶机抽真空至0.320 mbar，功率为100w，氧气流量为100sccm，时间为3 min； 金锡合金为Au80Sn20或Au75Sn25。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人四川科尔威光电科技有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区青栏路1443号3号楼1单元4楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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