杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种碳化硅平面MOS器件多晶硅栅自对准工艺及低电阻结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120302691B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510787424.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种碳化硅平面MOS器件多晶硅栅自对准工艺及低电阻结构是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅平面MOS器件多晶硅栅自对准工艺及低电阻结构在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种碳化硅平面MOS器件多晶硅栅自对准工艺及低电阻结构，包括有若干相互并列的MOS元胞构成，单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极，所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、N阱层、P+层和P阱层，单个所述MOS元胞中P阱层的高度与栅极对齐，并且该P阱层位于栅极的左右两侧；所述N阱层、P+层均位于栅极和P阱层的上方，并且该P+层位于N阱层的外侧。本发明通过将P阱层高度与栅极精确对齐并置于栅极两侧，结合“T”形源极设计，优化了导通路径，当栅极施加电压时，P阱层两侧形成垂直沟道，使电流从漏极经N漂移层流向源极的路径更短且分布均匀。
本发明授权一种碳化硅平面MOS器件多晶硅栅自对准工艺及低电阻结构在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅平面MOS器件多晶硅栅低电阻结构，包括有若干相互并列的MOS元胞构成，单个所述MOS元胞包括漏极1、半导体外延层、源极2和栅极3，所述半导体外延层包括N衬底层7、N漂移层8、N阱层4、P+层5和P阱层6，其特征在于：单个所述MOS元胞中P阱层6的高度与栅极3对齐，并且该P阱层6位于栅极3的左右两侧；所述N阱层4、P+层5均位于栅极3和P阱层6的上方，并且该P+层5位于N阱层4的外侧； 所述源极2的截面轮廓呈“T”字形状，其中该源极2包括横向部分和纵向部分，所述纵向部分与N阱层4的内侧欧姆接触，所述横向部分同时与N阱层4、P+层5欧姆接触； 所述N衬底层7的内部且靠近N漂移层8处通过离子注入形成有若干个隔离环10； 单个所述隔离环10的截面轮廓呈半椭圆形状，并且若干个隔离环10的总宽度不超过栅极3的宽度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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