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龙图腾网获悉上海维安半导体有限公司申请的专利基于埋层结构实现Ⅰ-Ⅲ象限触发的可控硅器件及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120321970B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510780989.0，技术领域涉及：H10D18/80；该发明授权基于埋层结构实现Ⅰ-Ⅲ象限触发的可控硅器件及方法是由单少杰;苏海伟;余震杰;张利明设计研发完成，并于2025-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于埋层结构实现Ⅰ-Ⅲ象限触发的可控硅器件及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及可控硅器件技术领域，具体涉及一种基于埋层结构实现Ⅰ‑Ⅲ象限触发的可控硅器件及方法，包括衬底和形成于衬底上方的正面基区；衬底中形成有多个埋层结构，埋层结构位于正面基区的正面基区电极的下方；正面基区和衬底在门极电极的下方还形成有导电通道连接至埋层结构的深度；当可控硅器件的外接电流进入第二象限时，通过埋层结构提高触发电流，以避免误触发。针对现有技术中的可控硅器件在交流电系统中可能在二象限上误触发的问题，当器件工作在二象限上时，通过埋层结构至门极电极的传导路径实现了对电荷的导出，从而大幅增加了触发电流阈值，当一三象限触发值在30mA左右时能够实现500mA以上的二象限触发值，有效避免了误触发的可能性。

本发明授权基于埋层结构实现Ⅰ-Ⅲ象限触发的可控硅器件及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于埋层结构实现Ⅰ‑Ⅲ象限触发的可控硅器件，其特征在于，包括衬底和形成于所述衬底上方的正面基区； 所述衬底中形成有多个埋层结构，所述埋层结构位于所述正面基区的正面基区电极的下方； 所述正面基区和所述衬底在门极电极的下方还形成有导电通道； 所述导电通道向下延伸至所述埋层结构的深度并与所述埋层结构连接； 所述导电通道包括正面基区导电通道； 所述正面基区导电通道形成于所述正面基区中，所述正面基区导电通道具有与所述正面基区不同的掺杂类型； 所述导电通道还包括衬底导电通道； 所述衬底导电通道形成于所述衬底中，所述衬底导电通道具有与所述衬底不同的掺杂类型； 当所述可控硅器件的外接电流进入第二象限时，通过所述埋层结构提高触发电流，以避免误触发； 所述衬底为第一掺杂类型； 所述埋层结构包括第二掺杂类型的外壳部分和第一掺杂类型的内芯部分； 所述埋层结构的上下表面均位于所述衬底中，并通过所述外壳部分与所述衬底接触； 所述外壳部分包裹所述内芯部分。

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