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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利基于微磁学理论的非晶丝应力-电磁耦合效应建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120337676B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510796985.1，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权基于微磁学理论的非晶丝应力-电磁耦合效应建模方法是由秦发祥;李云龙;王云飞;冯唐锋设计研发完成，并于2025-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于微磁学理论的非晶丝应力-电磁耦合效应建模方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于微磁学理论的非晶丝应力‑电磁耦合效应建模方法，属于磁性材料技术与电磁特性调控技术领域。本发明构建非晶丝微磁学三维仿真模型，通过有限元方法求解，实现了非晶丝在外加应力作用下磁畴结构演变的跨尺度模拟，进一步计算非晶丝在不同应力场作用下有效磁导率的变化，并融合趋肤效应与磁阻抗理论，建立非晶丝电磁阻抗频谱模型。本发明建立了有效磁导率、电磁阻抗特性与外部应力的定量映射关系，可推导不同应力场作用下的磁畴结构，并输出有效磁导率、电磁阻抗频谱等关键参数，为非晶丝在高灵敏度应力传感器件设计、宽频可调电磁波吸收屏蔽以及自感知复合材料结构健康监测等领域的广泛应用提供理论指导。

本发明授权基于微磁学理论的非晶丝应力-电磁耦合效应建模方法在权利要求书中公布了：1.一种基于微磁学理论的非晶丝应力‑电磁耦合效应建模方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤： S1：根据非晶丝的几何形态、磁学参数与本征磁弹各向异性，构建非晶丝微磁学三维仿真模型，通过有限元方法求解基于非晶丝的时域朗道‑利夫希兹‑吉尔伯特方程得到初始磁畴结构； S2：基于非晶丝磁弹耦合关系，求解应力场作用下非晶丝磁畴结构的动态演变过程； S3：通过有限元方法求解基于非晶丝的频域朗道‑利夫希兹‑吉尔伯特方程得到有效磁导率参数； S4：融合趋肤效应与磁阻抗理论，建立非晶丝电磁阻抗频谱模型； 所述S4中非晶丝电磁阻抗频谱模型的构建采用分层递进算法，所述S4包括： S41：计算非晶丝在不同频率的电磁波下的趋肤深度： ； 式中：为趋肤深度，为电磁波频率，为真空磁导率，为电导率； S42：求解电磁波在非晶丝内的传播常数： ； S43：计算非晶丝在不同频率下的阻抗，得到非晶丝电磁阻抗频谱模型；其中非晶丝在不同频率下的阻抗Z为： ； 式中：Z为阻抗，为直流电阻，为非晶丝半径，为0阶第一类贝塞尔函数和为1阶第一类贝塞尔函数。

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