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龙图腾网获悉杭州晶华微电子股份有限公司申请的专利一种低压带隙基准启动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120353291B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510847057.3，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种低压带隙基准启动电路是由傅彦民;王远卓;李建设计研发完成，并于2025-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低压带隙基准启动电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低压带隙基准启动电路，该电路包括：运放的负端通过双极型晶体管Q1连接到地，运放的正端通过R1和双极型晶体管Q2串联后连接到地；运放的负端通过R3连接到地，运放的正端通过R2连接到地；PMOS管M1、M2、M3的源极连接到电源电压；M1、M2、M3的栅极连接到运放的输出端；运放的负端和M1的漏极之间连接有R6；运放的正端和M2的漏极之间连接有R7；M3的漏极通过R4接地；NMOS管M4的栅极与M1的漏极相连，M4的漏极与NMOS管M5的栅极相连，M5的漏极与M1的栅极相连，M4、M5的源极连接到地；M4的漏极通过R5与电源电压相连。本发明能够使得电路在任何工艺脚都能够正常工作。

本发明授权一种低压带隙基准启动电路在权利要求书中公布了：1.一种低压带隙基准启动电路，其特征在于，包括：一个运算放大器、两个双极型晶体管Q1和Q2、一个用于产生与绝对温度成比例的电流的电阻R1、两个用于产生负温电流的电阻R2和R3、三个PMOS管M1、M2和M3、一个零温漂电阻R4、两个NMOS管M4和M5以及三个用于提高电压的电阻R5、R6和R7；其中，Q1和Q2的基极与集电极相连，Q1的发射极或集电极与运算放大器的负端相连，Q1的集电极或发射极接地；R3的一端接地，另一端与运算放大器的负端相连；运算放大器的正端与R1的一端相连，R1的另一端与Q2的发射极或集电极相连，Q2的集电极或发射极接地；R2的一端接地，另一端与运算放大器的正端相连；M1、M2和M3的源极连接在一起，并与电源电压VDD相连；M1、M2和M3的栅极连接在一起，并与运算放大器的输出端相连；M1的漏极与R6的一端相连，R6的另一端与运算放大器的负端相连；M2的漏极与R7的一端相连，R7的另一端与运算放大器的正端相连；M3的漏极与R4的一端相连，R4的另一端接地，R4远离接地的一端产生一个与温度无关的电压VBG；M4的栅极与M1的漏极相连，M4的漏极与M5的栅极相连，M5的漏极与M1的栅极相连，M4和M5的源极连接在一起，并与地相连；R5的一端与M4的漏极相连，另一端与VDD相连； 所述电阻R7的阻值大于电阻R6的阻值； 所述电阻R5还能够替换成n个串联的PMOS倒比管，以用于提供一个高输出阻抗；前一个PMOS倒比管的漏极与后一个PMOS倒比管的源极相连，其中第一个PMOS倒比管的源极与电源电压VDD相连，最后一个PMOS倒比管的漏极与NMOS管M4的漏极相连；n个PMOS倒比管的栅极连接到一起，并与一个电阻r的一端相连，电阻r的另一端连接到地。

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