南昌凯捷半导体科技有限公司王苏杰获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌凯捷半导体科技有限公司申请的专利一种改善漏电的反极性LED外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120358853B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510812297.X，技术领域涉及：H10H20/81；该发明授权一种改善漏电的反极性LED外延片及其制备方法是由王苏杰;林晓珊;杨祺;佟嘉欣设计研发完成，并于2025-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善漏电的反极性LED外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种改善漏电的反极性LED外延片及其制备方法。该LED外延片由下往上依次从下往上依次包括GaAs衬底、缓冲层、生长腐蚀截止层、N型欧姆接触层、生长电极保护层、粗化层、第一齐纳保护层、N型限制层、第二齐纳保护层、N面波导层、多量子阱发光层、P面波导层、第三齐纳包层、P型限制层、第四齐纳保护层、过渡层、P型窗口层。本发明在高势垒差的外延功能层之间引入齐纳保护层，可以抑制大电流注入下的浓度漂移，还能提升高温下的反向耐压能力，提升反极性LED的抗漏电性能。
本发明授权一种改善漏电的反极性LED外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种改善漏电的反极性LED外延片，其特征在于，所述LED外延片由下往上依次包括GaAs衬底、缓冲层、腐蚀截止层、N型欧姆接触层、电极保护层、粗化层、第一齐纳保护层、N型限制层、第二齐纳保护层、N面波导层、多量子阱发光层、P面波导层、第三齐纳保护层、P型限制层、第四齐纳保护层、过渡层、P型窗口层； 所述第一齐纳保护层和所述第二齐纳保护层均采用高掺杂‑非掺杂‑高掺杂三段式掺杂方式，其中高掺杂段的掺杂浓度均为2×1018cm‑3～3×1018cm‑3，且均采用SiH4作为N型掺杂剂； 所述第三齐纳保护层和所述第四齐纳保护层均采用高掺杂‑非掺杂‑高掺杂三段式掺杂方式，其中高掺杂段的掺杂浓度均为1×1018cm‑3～2×1018cm‑3，且均采用Cp2Mg作为P型掺杂剂。
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