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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利高密度芯片封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120376433B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510874277.5，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权高密度芯片封装结构及其制备方法是由徐玉鹏;钟磊;李利;何正鸿设计研发完成，并于2025-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本高密度芯片封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的高密度芯片封装结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该高密度芯片封装结构包括第一衬底、第一芯片、第二芯片、第三芯片、芯片堆叠模组和塑封体，将第一散热柱设置在第一衬底上，第三芯片的背面设置在第一散热柱上，而第二芯片的正面还设置有第二散热柱。芯片堆叠模组堆叠设置在第二芯片和第三芯片上，且芯片堆叠模组的底侧设置有第一导电柱和第二导电柱。相较于现有技术，本发明通过预先在芯片堆叠模组上设计第一导电柱和第二导电柱，采用模块化封装，能够大幅提升堆叠密度和封装集成度。并且，第一散热柱和第二散热柱的设置，能够大幅提升整体结构的散热效果，并且提升塑封体与芯片之间的结合力，提升结构稳定性。

本发明授权高密度芯片封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高密度芯片封装结构，其特征在于，包括： 第一衬底，所述第一衬底上设置有第一散热柱； 第一芯片，所述第一芯片的正面贴设在所述第一衬底设置有所述第一散热柱的一侧，并与所述第一散热柱间隔设置； 第二芯片，所述第二芯片的背面贴设在所述第一芯片的背面，且所述第二芯片的正面还设置有第二散热柱； 第三芯片，所述第三芯片的背面设置在所述第一散热柱和所述第二散热柱上，且所述第三芯片的一侧边缘区域与所述第二芯片的背面对应，所述第三芯片的正面的另一侧边缘区域还设置有第一感光区； 芯片堆叠模组，所述芯片堆叠模组堆叠设置在所述第二芯片和所述第三芯片上，所述芯片堆叠模组的底侧设置有第一导电柱和第二导电柱，所述第一导电柱连接于所述第二芯片的正面，所述第二导电柱连接于所述第三芯片的正面； 塑封体，所述塑封体设置在所述第一衬底上，并包覆于所述第一芯片、所述第二芯片、所述第三芯片和所述芯片堆叠模组； 其中，所述塑封体上还设置有与所述第一感光区对应的第一感光通道，所述芯片堆叠模组上也设置有与所述第一感光区对应的第一感光口，所述第一感光口与所述第一感光通道对应，并露出所述第一感光区； 其中，所述第一导电柱和所述第二导电柱预先设置在所述芯片堆叠模组上，并通过所述第一导电柱和所述第二导电柱实现所述芯片堆叠模组与所述第二芯片和所述第三芯片之间的电连接。

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