武汉衡惯科技发展有限公司黄晟获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉衡惯科技发展有限公司申请的专利MEMS封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120383293B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510886123.8，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权MEMS封装方法是由黄晟;刘翔天;汪超;方明;李钊;刘玉设计研发完成，并于2025-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本MEMS封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种MEMS封装方法，包括如下步骤：S1，在基底上键合器件层晶圆；S2，刻蚀器件层晶圆得到加速度传感器结构和陀螺结构；S3，在氮气氛围下，将上盖板预键合在加速度传感器结构和陀螺结构上，以使上盖板和基底之间的加速度传感器结构空腔和陀螺结构空腔中充满氮气；S4，消除陀螺结构空腔中的氮气，并将加速度传感器结构和陀螺结构均键合在上盖板上，以得到陀螺结构真空腔室。本发明通过MEMS封装实现加速度传感器芯片和陀螺芯片在一片基底上制备，缩短了制备流程，缩减了MEMS芯片制造的周期和成本，而且通过不同类型的MEMS级封装方式的组合嵌套，实现了两种芯片的联合封装，减小了封装体积提高了空间利用率和集成能力。
本发明授权MEMS封装方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS封装方法，其特征在于，包括如下步骤： S1，在基底上键合器件层晶圆； S2，刻蚀所述器件层晶圆得到加速度传感器结构和陀螺结构； S3，在氮气氛围下，将上盖板预键合在所述加速度传感器结构和所述陀螺结构上，以使所述上盖板和所述基底之间的加速度传感器结构空腔和陀螺结构空腔中充满氮气； S4，消除所述陀螺结构空腔中的氮气，并将所述加速度传感器结构和所述陀螺结构均键合在所述上盖板上，以得到陀螺结构真空腔室； 在所述S3步骤中，所述上盖板预键合在所述陀螺结构上的方式具体为： 在所述陀螺结构与所述上盖板的预键合位置处制作牺牲块； 在所述陀螺结构朝向所述上盖板的面上制作金属共晶点，所述牺牲块和所述金属共晶点正对设置； 将所述牺牲块与所述金属共晶点对接。
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