武汉衡惯科技发展有限公司黄晟获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉衡惯科技发展有限公司申请的专利一种MEMS惯性器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120385324B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510885811.2，技术领域涉及：G01C19/00；该发明授权一种MEMS惯性器件及其制造方法是由黄晟;李钊;汪超;王春水;刘翔天;杜全沛设计研发完成，并于2025-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS惯性器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明属于微机电系统技术领域，具体提供了一种MEMS惯性器件，包括依次堆叠键合的电路层、器件层和盖帽层；所述电路层与所述盖帽层之间合围形成有电路区；所述盖帽层设有多个第一凹槽；多个所述第一凹槽的底部均沉积有吸气剂层；多个所述第一凹槽与所述电路区连通。本发明提供的这种MEMS惯性器件通过将吸气剂的位置从电路层转移到盖帽层，盖帽层空腔的体积可通过空腔深度调控，并不需要增加空腔面积，从而使MEMS陀螺仪的体积更小，为给电路层更多的电路设计空间。又能降低寄生电容带来的影响，为MEMS陀螺仪的制造提供了新方法。
本发明授权一种MEMS惯性器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS惯性器件，其特征在于：包括依次堆叠键合的电路层、器件层和盖帽层；所述电路层与所述盖帽层之间合围形成有电路区；所述盖帽层设有多个第一凹槽；多个所述第一凹槽的底部均沉积有吸气剂层；多个所述第一凹槽与所述电路区连通；所述电路层设有多个第二凹槽；所述第二凹槽内设有第一电极；所述电路层通过多个所述第一电极与所述器件层键合；所述器件层设有多个与第一电极一一键合的支撑梁；所述支撑梁包括支撑梁本体；所述支撑梁本体一端与器件层连接，另一端设有第二电极；所述第二电极与所述第一电极键合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉衡惯科技发展有限公司，其通讯地址为：430206 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B3栋10楼1131(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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