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龙图腾网获悉江苏鑫华半导体科技股份有限公司申请的专利碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120400988B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510915846.6，技术领域涉及：C30B25/16；该发明授权碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件是由田新;方世琼;张春伟;江宏富;史振;林波;耿庆智设计研发完成，并于2025-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，公开了碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件，包括：于第一腔体在碳化硅衬底的一侧表面生长第一外延层；于第二腔体在第一外延层远离碳化硅衬底的一侧表面生长第二外延层；于第二腔体在第二外延层远离第一外延层的一侧表面生长第三外延层；于第一腔体在第三外延层远离第二外延层的一侧表面生长第四外延层；于第二腔体在第四外延层远离第三外延层的一侧表面生长第五外延层，以得到所述碳化硅外延片；其中，第一外延层、第四外延层为N型层，第二外延层、第三外延层、第五外延层为P型层。由此，该碳化硅外延片的质量较高，缺陷密度和表面粗糙度较低，将其应用于超高压功率器件有利于提高器件的性能和良率。

本发明授权碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种制备碳化硅外延片的方法，其特征在于，包括： 于第一腔体在碳化硅衬底的一侧表面生长第一外延层； 于第二腔体在所述第一外延层远离所述碳化硅衬底的一侧表面生长第二外延层； 于所述第二腔体在所述第二外延层远离所述第一外延层的一侧表面生长第三外延层； 于所述第一腔体在所述第三外延层远离所述第二外延层的一侧表面生长第四外延层； 于所述第二腔体在所述第四外延层远离所述第三外延层的一侧表面生长第五外延层，以得到所述碳化硅外延片； 其中，所述第一外延层、所述第四外延层为N型层，所述第二外延层、所述第三外延层、所述第五外延层为P型层，N型层的掺杂源为氮气，P型层的掺杂源为三甲基铝，所述第一外延层的掺杂浓度为1×1018atomscm3～5×1018atomscm3，所述第二外延层的掺杂浓度为1×1016atomscm3～2×1017atomscm3，所述第三外延层的掺杂浓度为1×1014atomscm3～5×1014atomscm3，所述第四外延层的掺杂浓度为5×1016atomscm3～8×1016atomscm3，所述第五外延层的掺杂浓度为1×1019atomscm3～1×1020atomscm3，所述第一外延层的厚度为1μm~5μm，所述第二外延层的厚度为1μm~3μm，所述第三外延层的厚度为100μm~110μm，所述第四外延层的厚度为1μm~3μm，所述第五外延层的厚度为1μm~3μm。

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