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龙图腾网获悉北京青耘科技有限公司申请的专利存储器控制器和三维堆叠存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120407468B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510906523.0，技术领域涉及：G06F13/16；该发明授权存储器控制器和三维堆叠存储器是由张坤宁设计研发完成，并于2025-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器控制器和三维堆叠存储器在说明书摘要公布了：本发明提供一种存储器控制器和三维堆叠存储器，其存储器控制器中设置读缓存区和预取缓存区，每次读数据时，先判断待读的数据是否已提前缓存到预取缓存区，若否，则在读取多层存储器芯片中的命中层中相应的数据即命中存储单元所存储的数据的同时，还读取即预取该多层存储器芯片中的至少一层非命中层中相应的数据，并进一步对所读取和所预取的数据均进行错误检查与纠正，并在错误检查与纠正之后，将命中层的数据缓存到读缓存区，预取的数据缓存到预取缓存区，并将此次缓存到该读缓存区中的数据取出且返回给主芯片，实现了预取多层存储器芯片的数据、并对读取和预取的数据进行先ECC纠错、后分别缓存的功能，提高存储数据可靠性和系统性能。

本发明授权存储器控制器和三维堆叠存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储器控制器，耦接在主芯片和堆叠的多层存储器芯片之间，每层所述存储器芯片均包括多个存储单元，其特征在于，所述存储器控制器具有数据缓存区，所述数据缓存区包括读缓存区和预取缓存区，所述存储器控制器被配置为： 接收和解析相应的读指令，并判断所述读指令所读的数据是否已提前缓存在所述预取缓存区中，若否，则执行以下步骤： 根据所述读指令的片选地址在所述多层存储器芯片中确定命中层，打开不同层的所述存储器芯片中共享所述读指令的执行行地址的字线，以读取所述多层存储器芯片中对应的命中存储单元的数据和非命中存储单元的数据，其中，所述命中存储单元属于所述命中层，所述非命中存储单元属于所述多层存储器芯片中的所述命中层之外的至少一非命中层； 对所读数据进行错误检查与纠正； 将所述命中存储单元对应的错误检查与纠正后的数据缓存到所述读缓存区，并将所述非命中存储单元对应的错误检查与纠正后的数据缓存到所述预取缓存区； 将缓存到所述读缓存区中的数据取出，并返回给所述主芯片。

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