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龙图腾网获悉四川海芯微科技有限公司申请的专利射频芯片至基片集成波导的过渡结构及应用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120414032B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510931029.X，技术领域涉及：H01P3/00；该发明授权射频芯片至基片集成波导的过渡结构及应用方法是由叶洪旺;吴杰;崔博华;李一虎;邓小东;周竣峰;杜允;陈彦宏;陈君洪;罗二霞设计研发完成，并于2025-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本射频芯片至基片集成波导的过渡结构及应用方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种射频芯片至基片集成波导的过渡结构，该过渡结构包括：基片集成波导和射频芯片。基片集成波导包括基板、第一通孔、第二通孔以及耦合结构，第二通孔为基片集成波导的接地端；耦合结构位于两排第一通孔之间；射频芯片位于耦合结构的上方。该过渡结构在应用过程中，射频芯片的射频信号进入基片集成波导，耦合结构改变表面电流激发多模谐振，将射频信号以电磁波的形式耦合至基片集成波导，由于第二通孔接地，因此电磁波在沿着第一通孔的排布方向进行传输的过程中，通过第二通孔进行阻抗匹配。本发明通过耦合结构、第一通孔和第二通孔之间的配合，使得过渡结构具有宽带低损耗的特性，且不设置微带线，进而避免产生辐射损耗。

本发明授权射频芯片至基片集成波导的过渡结构及应用方法在权利要求书中公布了：1.一种射频芯片至基片集成波导的过渡结构，其特征在于，包括： 基片集成波导，以及通过至少一个焊接块与所述基片集成波导连接的射频芯片； 所述基片集成波导包括基板、两排平行且等距排布的第一通孔、垂直于两排所述第一通孔的第二通孔以及耦合结构，所述第二通孔为所述基片集成波导的接地端； 其中，所述第一通孔和所述第二通孔贯穿所述基板； 所述耦合结构位于两排所述第一通孔之间；所述耦合结构包括耦合贴片和耦合缝隙； 所述耦合贴片为贴合于基板表面的圆形金属贴片；所述耦合缝隙的内径与所述耦合贴片的直径一致； 所述射频芯片位于所述耦合结构的上方； 所述焊接块为BGA焊锡球，所述BGA焊锡球为圆柱体；所述BGA焊锡球包括第一类BGA焊锡球和第二类BGA焊锡球； 所述射频芯片通过所述第一类BGA焊锡球连接于所述基片集成波导的所述基板上； 所述射频芯片通过所述第二类BGA焊锡球连接于所述基片集成波导的所述耦合结构上； 所述耦合贴片与所述第二类BGA焊锡球的底部完全贴合。

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