上海维安半导体有限公司单少杰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海维安半导体有限公司申请的专利强少子注入型低导通压降的可控硅器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417494B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510906421.9，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权强少子注入型低导通压降的可控硅器件及制备方法是由单少杰;苏海伟;张利明;余震杰;刘涛;张文贵;叶毓明设计研发完成，并于2025-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本强少子注入型低导通压降的可控硅器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及可控硅器件技术领域，具体涉及一种强少子注入型低导通压降的可控硅器件及制备方法，包括：正面基区，形成有多个沟槽，每个沟槽的底部有正面发射区，侧墙的上方有门极金属层并包裹钝化层；正面发射区的上方形成有正面电极金属层。针对现有技术中的可控硅器件触发电流一致性差的问题，引入了沟槽结的工艺，在正面基区中制备了多个沟槽结构并形成正面发射区，在沟槽的侧墙顶端形成了门极金属层，从而实现了侧向的触发结构，在相同的芯片面积下，沟槽底部的正面发射区的面积相对于平面型的正面发射区会明显更大，从而降低了导通压降；同时，由于器件的触发电流是通过横向形成的沟槽结来实现的，触发通路更短，可有效降低触发电流跨度。
本发明授权强少子注入型低导通压降的可控硅器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种强少子注入型低导通压降的可控硅器件，其特征在于，包括： 正面基区，所述正面基区具有第一掺杂类型； 所述正面基区中形成有多个沟槽，每个所述沟槽的底部分别形成有正面发射区； 所述正面发射区具有第二掺杂类型； 每个所述沟槽的侧墙的上方分别形成有门极金属层； 所述正面发射区的上方形成有正面电极金属层； 所述门极金属层和所述正面电极金属层之间采用钝化层进行间隔； 所述正面发射区形成于所述沟槽的底部； 所述侧墙存在有与所述正面电极金属层接触的裸露部分； 所述正面电极金属层对所述裸露部分和所述正面发射区短接，并分别在每个接触面上形成欧姆接触。
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