晶科能源(海宁)有限公司孙玉峰获国家专利权
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龙图腾网获悉晶科能源(海宁)有限公司申请的专利背接触太阳能电池、其制备方法及光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417498B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510920625.8，技术领域涉及：H10F10/166；该发明授权背接触太阳能电池、其制备方法及光伏组件是由孙玉峰;岳浩东;端伟元;杨洁;张昕宇设计研发完成，并于2025-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本背接触太阳能电池、其制备方法及光伏组件在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种背接触太阳能电池、其制备方法及光伏组件，其中，背接触太阳能电池包括：基底；在基底的背光面上交替排列的第一掺杂区和第二掺杂区；其中，第一掺杂区内包括隧穿氧化层和第一掺杂层，第一掺杂层位于隧穿氧化层背离基底的一侧，第一掺杂层为多晶硅掺杂层；第二掺杂区内包括本征非晶硅层、第二掺杂层和绝缘结构，第二掺杂层和绝缘结构位于本征非晶硅层背离基底的一侧，且绝缘结构位于第二掺杂层与第一掺杂层之间，第二掺杂层的掺杂类型与第一掺杂层的掺杂类型相反，第二掺杂层为非晶硅掺杂层或微晶硅掺杂层，本申请提供的背接触太阳能电池至少有利于避免背接触电池发生漏电。
本发明授权背接触太阳能电池、其制备方法及光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，所述背接触太阳能电池包括： 基底； 在所述基底的背光面上交替排列的第一掺杂区和第二掺杂区； 其中，所述第一掺杂区内包括绝缘层、隧穿氧化层和第一掺杂层，所述绝缘层位于所述基底与所述隧穿氧化层之间，所述绝缘层具有开口，所述隧穿氧化层通过所述开口与所述基底连接，所述第一掺杂层位于所述隧穿氧化层背离所述基底的一侧，所述第一掺杂层为多晶硅掺杂层； 所述第二掺杂区内包括本征非晶硅层、第二掺杂层和绝缘结构，所述第二掺杂层和所述绝缘结构位于所述本征非晶硅层背离所述基底的一侧，且所述绝缘结构位于所述第二掺杂层与所述第一掺杂层之间，所述第二掺杂层的掺杂类型与所述第一掺杂层的掺杂类型相反，所述第二掺杂层为非晶硅掺杂层或微晶硅掺杂层，至少部分所述绝缘层位于所述隧穿氧化层与所述本征非晶硅层之间。
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